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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极材料层和硬掩膜层，在所述半导体衬底、栅极材料层和硬掩膜层中形成有沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化层，在所述沟槽中填充有隔离层；去除...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。