用于存储器设备的感测放大器制造技术

本发明专利技术的实施例涉及用于存储器设备的感测放大器。一种读取放大器电路包括具有第一输入和第二输入的核心，第一和第二输入用于在测量阶段接收来自存储器设备的第一位线和第二位线的差分信号。该电路还包括具有以交叉方式耦合的两个反相器的存储器元件。第一和第二输入分别经由两个转移电容器连接至反相器的两个电源节点。第一可控电路被配置为在测量阶段之前的初始阶段期间以及在测量阶段期间临时地使存储器元件浮置。

Sense amplifier for memory device

An embodiment of the present invention relates to a sense amplifier for a memory device. A read amplifier circuit includes a core with the first input and second inputs, and the first and second inputs are used to receive differential signals from the memory device's first bit line and second bit line at the measurement phase. The circuit also includes a memory element having two inverters coupled in a cross mode. The first and second inputs are connected to the two power nodes of the inverter through two transfer capacitors respectively. The first controllable circuit is configured to temporarily float the memory element at the initial stage prior to the measurement phase and during the measurement phase.

【技术实现步骤摘要】
用于存储器设备的感测放大器相关申请的交叉引用本申请要求2016年4月18日提交的法国专利申请第1653396号的权益，该申请通过引用整体合并于此。
本专利技术的实施方式和实施例涉及存储器电路，在具体实施例中，涉及用于存储器设备的感测放大器。
技术介绍
当今广泛使用多种电子设备，诸如例如笔记本计算机、智能电话和平板计算机。这种电子设备通常包含微处理器、在执行软件应用程序期间由微处理器使用的易失性存储器以及用于长期存储应用程序和数据的非易失性存储器。在读取这些易失性和非易失性存储器设备的存储器单元中的数据的操作期间，读取放大器电路以传统方式用于这些设备中。在已知的读取放大器电路架构中，尤其在用于非易失性存储器的读取放大器电路架构中，可以引用包括锁存存储器类型的存储器元件的架构，这一类型的存储器元件基于以交叉方式耦合并且用于连接在存储器设备的一对位线之间的两个反相器。更精确地，每个反相器的输入连接至一条位线，其输出连接至另一位线。这种读取放大器电路提供快速的信号放大。然而，实际上，难以制造包括完美匹配的晶体管的反相器对。然而，晶体管特性的不匹配会在复位阶段期间在反相器的输出处产生偏移电压。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括读取放大器电路，所述读取放大器电路包括核心，所述核心包括第一电源端子和第二电源端子以及具有两个交叉耦合的反相器的存储器元件，所述方法包括：通过将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开来执行初始阶段，以便使所述存储器元件达到平衡状态；以及在执行所述初始阶段之后，执行测量阶段以测量差分信号，所述差分信号存在于所述核心的两个输入处并且源于所述存储器设备的两条位线，所述测量阶段包括将所述差分信号经由两个转移电容器传送至所述反相器的两个电源节点并且破坏所述平衡状态，同时保持所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断...

【技术特征摘要】
2016.04.18 FR 16533961.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括读取放大器电路，所述读取放大器电路包括核心，所述核心包括第一电源端子和第二电源端子以及具有两个交叉耦合的反相器的存储器元件，所述方法包括：通过将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开来执行初始阶段，以便使所述存储器元件达到平衡状态；以及在执行所述初始阶段之后，执行测量阶段以测量差分信号，所述差分信号存在于所述核心的两个输入处并且源于所述存储器设备的两条位线，所述测量阶段包括将所述差分信号经由两个转移电容器传送至所述反相器的两个电源节点并且破坏所述平衡状态，同时保持所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述初始阶段包括：在将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开之前，经由所述第一电源端子和所述第二电源端子对电容网络充电，所述电容网络耦合至所述反相器的电源节点并且包括所述两个转移电容器；以及将输入节点连接至所述反相器的输出节点，同时将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述反相器的电源节点是所述反相器的NMOS晶体管的源极和所述反相器的PMOS晶体管的源极，并且在所述测量阶段中，所述差分信号被传送至所述反相器的NMOS晶体管的源极。4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开包括：将所述NMOS晶体管的源极与所述第一电源端子断开，然后将所述PMOS晶体管的源极与所述第二电源端子断开。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述测量阶段包括：将所述输入节点与所述反相器的输出节点断开。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述测量阶段之后，通过将所述存储器元件的电源节点重新连接至所述第一电源端子和所述第二电源端子来锁存所述存储器元件中所读取的数据项。7.一种用于存储器设备的读取放大器电路，包括：核心，包括第一输入和第二输入，所述第一输入和所述第二输入被配置为在测量阶段中接收源于所述存储器设备的第一位线和第二位线的差分信号；以及存储器元件，具有以交叉方式耦合的第一反相器和第二反相器，所述第一输入和所述第二输入分别经由第一转移电容器和第二转移电容器连接至所述第一反相器和所述第二反相器的两个电源节点，所述存储器元件还包括第一可控电路，所述第一可控电路被配置为在所述测量阶段之前的初始阶段期间以及在所述测量阶段期间临时地使所述存储器元件浮置。8.根据权利要求7所述的读取放大器电路，包括第一电源端子和第二电源端子，被配置为分别接收第一低电源和第二高电源，其中所述第一可控电路包括第一组可控开关，所述第一组可控开关被配置为将所述第一反相器和所述第二反相器的所有电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开。9.根据权利要求8所述的读取放大器电路，其中所述第一反相器和所述第二反相器的电源节点是所述第一反相器和所述第二反相器的NMOS晶体管的源极以及所述第一反相器和所述第二反相器的PMOS晶体管的源极，并且其中所述第一转移电容器和所述第二转移电容器分别耦合在所述第一输入和所述第二输入与所述第一反相器和所述第二反相器的NMOS晶体管的源极之间。10.根据权利要求9所述的读取放大器电路，其中所述第一组可控开关被配置为：在所述测量阶段之后，将所述第一反相器和所述第二反相器的所有电源节点重新连接至所述第一电源端子和所述第二电源端子。11.根据权利要求9所述的读取放大器电路，其中所述第一组可控开关包括：第一开关，耦合在所述第一电源端子与所述第一反相器的NMOS晶体管的源极之间；第二开关，耦合在所述第二电源端子与所述第一反相器的PMOS晶体管的源极之间；第三开关，耦合在所述第一电源端子与所述第二反相器的NMOS晶体管的源极之间；以及第四开关，耦合在所述第二电源端子与所述第二反相器的PMOS晶体管的源极之间。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·拉罗萨，G·阿利里，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT