含有三维存储阵列的处理器制造技术

本发明专利技术提出一种含有三维存储（3D‑M）阵列的三维处理器。它采用基于存储的计算（MBC），而非基于逻辑的计算（LBC）。三维处理器含有多个计算单元，每个计算单元都含有一算术逻辑电路（ALC）和一基于3D‑M的查找表（3DM‑LUT）。ALC对3DM‑LUT数据进行算术运算，3DM‑LUT 存储在至少一3D‑M阵列中。可编程计算单元可对计算进行现场定制。

Processor with 3D memory array

The invention provides a storage containing three-dimensional (3D M) three dimensional processor array. It uses memory based computing (MBC) instead of logic based computing (LBC). The 3D processor contains multiple computing units, each cell contains an arithmetic logic circuit (ALC) and a 3D based M lookup table (3DM LUT). The ALC arithmetic of 3DM LUT data, 3DM LUT stored in at least one 3D M array. A programmable computing unit can be used for field customization of calculations.

【技术实现步骤摘要】
含有三维存储阵列的处理器
本专利技术涉及集成电路领域，更确切地说，涉及处理器。
技术介绍
传统处理器采用基于逻辑的计算（logic-basedcomputation，简称为LBC），它主要通过逻辑电路（如与非门等）来计算。逻辑电路适合实现算术运算（如加法、减法和乘法），但对于非算术函数（如初等函数、特殊函数等）无能为力。非算术函数的高速高效实现面临巨大的挑战。在传统处理器中，仅少量基本非算术函数（如基本代数函数、基本超越函数）能通过硬件直接实现，这些函数被称为内置函数（built-infunctions）。内置函数一般通过逻辑电路和查找表（LUT）的组合来实现。实现内置函数的例子很多，例如：美国专利US5,954,787（专利技术人：Eun；授权日：1999年9月21日）披露了一种利用LUT实现正弦/余弦（sin/cosine）函数的方法；美国专利US9,207,910（专利技术人：Azadet；授权日：2015年12月8日）披露了一种利用LUT实现幂函数的方法。图1A具体描述了内置函数的实现方法。传统处理器300通常含有逻辑电路380和存储电路370。逻辑电路380含有算术逻辑单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一位于该半导体衬底(0)上的计算单元(110‑i)，所述计算单元(110‑i)含有一算术逻辑电路(ALC)(180)和一基于三维存储器（3D‑M）的查找表（3DM‑LUT）(170)，其中：所述ALC(180)位于该半导体衬底(0)中并对该3DM‑LUT(170)的数据进行算术运算；所述3DM‑LUT(170)存储在至少一3D‑M阵列(170o…)中，该3D‑M阵列(170o…)堆叠在该ALC(180)上方；所述3D‑M阵列(170o…)和所述ALC(180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)实现电耦合。

【技术特征摘要】
2016.04.22 CN 2016102608453;2016.05.02 CN 201610281.一种三维处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一位于该半导体衬底(0)上的计算单元(110-i)，所述计算单元(110-i)含有一算术逻辑电路(ALC)(180)和一基于三维存储器（3D-M）的查找表（3DM-LUT）(170)，其中：所述ALC(180)位于该半导体衬底(0)中并对该3DM-LUT(170)的数据进行算术运算；所述3DM-LUT(170)存储在至少一3D-M阵列(170o…)中，该3D-M阵列(170o…)堆叠在该ALC(180)上方；所述3D-M阵列(170o…)和所述ALC(180)通过多个接触通道孔(1av,3av)实现电耦合。2.一种三维处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一位于该半导体衬底(0)上的计算单元(110-i)，所述计算单元(110-i)含有一算术逻辑电路(ALC)(180)和一基于三维存储器（3D-M）的查找表（3DM-LUT）(170)，其中：所述ALC(180)位于该半导体衬底(0)中并对该3DM-LUT(170)的数据进行算术运算；所述3DM-LUT(170)存储在至少一3D-M阵列(170o…)中，该3D-M阵列(170o…)堆叠在该ALC(180)上方并存储与一数学函数相关的数据；所述3D-M阵列(170o…)和所述ALC(180)通过多个接触通道孔(1av,3av)实现电耦合。3.一种三维处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一位于该半导体衬底(0)上的计算单元(110-i)，所述计算单元(110-i)含有一算术逻辑电路(ALC)(180)和一基于三维存储器（3D-M）的查找表...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，沈忱，
申请(专利权)人：杭州海存信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33