一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法技术

本发明专利技术提供一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，其电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，其电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。本发明专利技术的SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法可同时仿真NMOS和PMOS，可以仿真阈值电压的漂移，还可仿真各个尺寸、各个辐射剂量的MOSFET特性，大大提高仿真准确性。

A modeling method of SOI MOSFET total dose irradiation model

The invention provides a modeling method, a total dose of SOI MOSFET irradiation model include: the establishment of a controlled current source between the controlled current source in parallel to a MOSFET device source and drain, the current size of the MOSFET device by the end of the gate, source and drain, body end and total dose control; establish a controlled voltage source, a gate terminal of the controlled voltage source in series with the MOSFET device, the voltage is determined by the total dose control; the controlled current source, the controlled voltage source and the MOSFET device package, to form the SOI MOSFET total dose irradiation model. Modeling method of total dose of SOI MOSFET radiation model of the invention can also simulate NMOS and PMOS, can simulate the threshold voltage shift, but also MOSFET simulation of each size and each radiation dose, greatly improving the simulation accuracy.

【技术实现步骤摘要】
一种SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法
本专利技术涉及器件集约模型建模
，特别是涉及一种SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法。
技术介绍
SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)是一种抗辐射的硅基结构，它可以应用于航空航天电子，对宇宙辐射有先天的免疫优势。总剂量效应是宇宙射线大量在材料中积累之后对器件特性产生不可逆影响的一种效应，常造成器件失效。SOI虽然具有特殊的结构，但其总剂量效应依然明显，需要通过设计与材料加固才能缓解。MOSFET集约模型(也叫SPICE模型)是一种电路设计者直接调用仿真大规模电路的模型，其采用特定的语法进行模型表述，通过将器件的物理特性用SPICE语言的方式来提供给计算机进行仿真。现有的SOI总剂量SPICE模型只包含的NMOS，而忽略了PMOS的总剂量效应，即现有的模型没有仿真总剂量对阈值电压影响的能力，从而NMOS与PMOS在总剂量影响下阈值电压的漂移是无法反映出来的。NMOS的总剂量效应反映在漏电流增大、阈值电压减小，PMOS的总剂量效应反映在阈值电压增大。如果只有NMOS的总剂量模型，则只能仿真漏电流，评本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，其特征在于，所述SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法至少包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，所述受控电流源的电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，所述受控电压源的电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。

【技术特征摘要】
1.一种SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法，其特征在于，所述SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法至少包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，所述受控电流源的电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，所述受控电压源的电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOIMOSFET总剂量辐照模型。2.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法，其特征在于：所述MOSFET器件为P型MOS管或N型MOS管。3.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法，其特征在于：建立所述受控电流源的方法具体包括：分别对侧壁区和边角区的电流进行建模，侧壁区电流和边角区电流均为MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量的函数，所述受控电流源为所述侧壁区电流和所述边角区电流的和。4.根据权利要求3所述的SOIMOSFET总剂量辐照模型的建模方法，其特征在于：所述侧壁区电流满足如下关系：其中，Isidewall为所述侧壁区电流，usidewall为侧壁区的载流子迁移率，Coxsidewall为侧壁区的单位面积氧化层电容，wsidewall为侧壁区的等效栅宽，vgsteffsidewall为侧壁区的有效过驱动电压，Abulk为体电荷系数，vdseffsidewall为侧壁区的有效漏源电压，vtm为热电压，L0为器件沟道长度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，黄建强，罗杰馨，柴展，吕凯，何伟伟，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31