The invention relates to the field of semiconductor manufacturing technology, especially relates to a metal mask manufacturing process and manufacturing device, providing a first substrate, a second substrate disposed with preset graphic and a metal substrate, and then the lower surface of the second substrate is provided with a preset graphic side closely attached to the metal substrate, the first substrate is smooth the surface on the surface of the metal substrate closely, forming an integral structure, and continue heating and pressing on the overall structure, to form on a metal substrate opening pattern, after cooling, removing the first substrate and the second substrate metal mask is obtained, the technical scheme provides a new kind of metal manufacturing process the mask, the traditional production process using acid etching, easy to produce pollution in the production process, the new manufacturing process does not produce pollution, at the same time Enough to make the ideal form of metal mask version.
【技术实现步骤摘要】
一种金属掩膜版制造工艺及其制造装置
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种金属掩膜版制造工艺及其制造装置。
技术介绍
近年来,金属掩膜版(Mask)作为蒸镀OLED生产中不可缺少的中间产品,其发展与OLED发展以及推广存在着紧密联系。目前金属掩膜版的制造,通过湿法蚀刻方式进行生产。蚀刻过程主要采用酸性溶剂,若处理不当将对环境造成污染。由于湿法蚀刻制造出的金属掩膜版,往往存在遮蔽结构的宽度和遮蔽结构的深度不协调,而这两个参数对于OLED的蒸镀又是不利因素。遮蔽结构的深度越大,有效膜宽越小,而膜宽不够的情况下会导致画面缺色(例如:红画面不红,有时局部显桔黄等等)。遮蔽结构的宽度越小,膜宽越小,而膜宽减小可以降低混色风险,即膜宽减小在导致画面缺色的同时降低了混色的风险,因此,金属掩膜版无法达到遮蔽结构的深度与遮蔽结构的宽度协调最佳的状态。因此,如何制造一种不存在遮蔽结构的深度与遮蔽结构的宽度无法协调到最佳状态的金属掩膜版成为本领域技术人员面临的一大难题。
技术实现思路
鉴于上述问题,本专利技术提出一种金属掩膜版制造工艺及一种掩膜版结构,该技术方案具体为:一种金属掩膜 ...
【技术保护点】
一种金属掩膜版制造工艺,其特征在于,包括:提供一金属基材、一第一基板和一表面设置有预设图形的第二基板;将所述金属基材夹持在所述第一基板与所述第二基板之间,以使所述金属基材的两表面分别与所述第一基板及所述第二基板上设置有所述预设图形的表面贴合;对所述金属基材进行加热,并将所述第一基板与所述第二基板压合,使所述预设图形贯穿所述金属基材,以在所述金属基材上形成与所述预设图形对应的开口。
【技术特征摘要】
1.一种金属掩膜版制造工艺,其特征在于,包括:提供一金属基材、一第一基板和一表面设置有预设图形的第二基板;将所述金属基材夹持在所述第一基板与所述第二基板之间,以使所述金属基材的两表面分别与所述第一基板及所述第二基板上设置有所述预设图形的表面贴合;对所述金属基材进行加热,并将所述第一基板与所述第二基板压合,使所述预设图形贯穿所述金属基材,以在所述金属基材上形成与所述预设图形对应的开口。2.如权利要求1所述的金属掩膜版制造工艺,其特征在于,还包括:将所述金属基材冷却后,拆除所述盖板及所述基板,以形成所述金属掩膜版。3.如权利要求1所述的金属掩膜版制造工艺,其特征在于,还包括:于所述第二基板上形成所述预设图形。4.如权利要求3所述的金属掩膜版制造工艺,其特征在于,采用电铸工艺或蚀刻工艺于所述第二基板上形成所述预设图形。5.如权利要求1所述的金属掩膜版...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈凯凯,
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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