一种访问时间测量电路制造技术

本发明专利技术提供一种访问时间测量电路。所述访问时间测量电路包括：时钟复用单元，被配置为选择时钟信号；以及与所述时钟复用单元输出端连接的环形振荡单元，所述环形振荡单元包括至少两个串联连接的第一静态随机存取存储单元和第二静态随机存取存储单元。本发明专利技术的访问时间测量电路可以缩短测量时间，并且提高测量的精度。

An access time measuring circuit

The present invention provides an access time measuring circuit. The access time measuring circuit comprises a clock multiplexing unit configured to select a clock signal; and the clock multiplexing unit is connected with the output end of the ring oscillator unit, the ring oscillator unit includes at least two series connected first static random access storage unit and second static random access storage unit. The access time measuring circuit of the invention can shorten the measuring time and improve the measuring accuracy.

【技术实现步骤摘要】
一种访问时间测量电路
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种访问时间测量电路。
技术介绍
随着CMOS工艺尺寸降低，SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)在系统中也越来越重要。SRAM是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM的优点是速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。其缺点为集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。SRAM通常使用的系统包括CPU与主存之间的高速缓存、CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存、CPU外部扩充用的COAST高速缓存，以及CMOS芯片(RT&CMOSSRAM)。往往系统的速度是由SRAM的访问时间制约的。因此，准确测量SRAM的访问时间对于IP验证来讲至关重要。对于快速IP验证，测试所花费的时间也要求越短越好。现有的SRAM访问时间测试电路测量通常精确度低，并且电路结构相对复杂。因此，需要提供一种访问时间测量电路，以解决上面提到的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种访问时间测量电路，其特征在于，所述测量电路包括：时钟复用单元，被配置为选择时钟信号；以及与所述时钟复用单元输出端连接的环形振荡单元，所述环形振荡单元包括至少两个串联连接的第一静态随机存取存储单元和第二静态随机存取存储单元。

【技术特征摘要】
1.一种访问时间测量电路，其特征在于，所述测量电路包括：时钟复用单元，被配置为选择时钟信号；以及与所述时钟复用单元输出端连接的环形振荡单元，所述环形振荡单元包括至少两个串联连接的第一静态随机存取存储单元和第二静态随机存取存储单元。2.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述测量电路还包括设置于所述第一静态随机存取存储单元输出端的第一时钟沿检测电路和设置于所述第二静态随机存取存储单元输出端的第二时钟沿检测电路，所述时钟沿检测电路用于将所述输出端输出的数据信号转换成满足所述静态随机存取存储单元工作的时钟信号。3.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述测量电路还包括振荡频率检测单元，被配置为检测所述环形振荡单元的振荡周期，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝旭丹，方伟，陈双文，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31