一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述的电子传输层的上表面设有呈准周期或非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。

A quantum dot light emitting diode and its preparation method

The invention discloses a quantum dot light-emitting diode and its preparing method, including sequentially stacked substrate, cathode, electron transport layer, quantum dot light emitting layer, a hole transport layer and the anode, which is characterized in that the upper surface of the electron transport layer is arranged in the is quasi periodic or non periodic shape and refractive index along the light direction of the concave convex structure nano gradient. The efficiency of an inverted structure quantum dot light emitting diode described in this application has been greatly improved, and its efficiency is far ahead of other inverted quantum dot devices.

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及光电器件
，具体涉及了一种高效的倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)是一种以量子点作为发光层的电致自发光器件。量子点是粒径小于或接近激子波尔半径的半导体纳米晶体，其三个维度的尺度通常在10nm以下，内部的电子和空穴在各个方向上的运动均受到限制。应用于发光领域的量子点一般具有核-壳结构，表面由配体钝化。由于电子和空穴被量子限域，量子点具有分立的能级结构。这种分立的能级结构使得量子点具有独特的光学性质。每当受到光或电的刺激，量子点便会发出荧光，荧光的波长由量子点的组成材料和大小形状决定，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。量子点的发光峰窄、发光颜色随自身尺寸可调、发光效率高，非常适合用作显示器件的发光材料。对比OLED，QLED具有理论发光效率更高、颜色可调、色域更广、色彩饱和度和鲜艳度更好、能耗成本更低等优点，使得量子点电致发光技术成为下一代新型显示技术的有利候选者。近年来，QLED在材料和器件结构上都取得可很大的进展。其中，器件结构方面倒置QLED器件因其具有许多显著的优势被广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光二极管，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述的电子传输层的上表面设有折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述的电子传输层的上表面设有折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。2.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于：所述的纳米凹凸结构的周期200-600nm之间，槽深在20-30nm之间，占空比0.5-0.6之间。3.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层为溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。4.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底为玻璃或柔性塑料，或设有TFT驱动电路的玻璃或塑料基板。5.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极和阴极中至少有一种是透明的。6.根据权利要求4所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极为铟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或所述的阴极为Al或Ag或Mg或Ca或Ba材料制成的电极。7.根据权利要求4所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物或氟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或，所述的阳极为Au或Pt或Pd材料制成的电极。8.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料为ZnO或TiOx。9.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一种或多种。10.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层为聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺、9，9-二辛基芴-9，9-双(N，N-二甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐建新，许瑞鹏，刘悦琪，李艳青，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32