一种短时大电流备用电源管理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种短时大电流备用电源管理装置。本实用新型专利技术实施例包括：超级电容充电管理电路。本实施例中，超级电容充电管理电路具体包括：超级电容C4和C8、三极管Q1和Q2、电阻R7和R24。本实用新型专利技术以超级电容C4、C8作为备份电源，输出电流能力强，能够作为各种系统的短时备用电源，且三极管Q1、Q2和电阻R7、R24构成了恒流源充电电路，实现了对超级电容C4、C8进行充电，该短时大电流备用电源管理装置还包括掉电检测电路和放电电路，使得该装置具有多种控制机制，无需增加额外的控制信号，自成系统。

A short time high current standby power management device

The utility model discloses a short time high current standby power supply management device. The embodiment of the utility model includes the charging management circuit for the super capacitor. In this example, the super capacitor charging management circuit includes: super capacitor C4 and C8, transistor Q1 and Q2, resistor R7 and R24. The utility model has the advantages of backup power supply with super capacitor C4, C8 as the output current capability, can be used as short standby power systems, and transistors Q1, Q2 and resistance R7, R24 constitutes a charging circuit of constant current source, realize the charging of the super capacitor C4, C8, the short high current standby power management device also includes a power failure detection circuit and discharge circuit, so that the device has multiple control mechanisms, without adding additional control signals, a system of.

【技术实现步骤摘要】
一种短时大电流备用电源管理装置
本技术涉及备用电源管理装置领域，尤其涉及一种短时大电流备用电源管理装置。
技术介绍
在一些产品中，需要在断电后能够上传和保存数据、同时执行一些其他动作。这些数据可能需要通过4G、以太网、WiFi等等的方式上传到后台服务器上，这些模块在工作时需要比较大的瞬态电流，此外，执行一些保护动作也可能需要较大电流。为了满足这个瞬时大电流、短时供电的需求，目前，较为常用的方法是在直接在系统中增加大电容作为备用电源，在外部掉电后，大电容直接放电，以延长供电时间。然而，这种方法也存在以下不足：(1)在系统供电瞬间，电流比较大，如果外部电源容量小，就拉低了电源电压，影响其他设备；(2)在大电容充电时候，可能会有很长一段时间欠电压，造成系统不稳定；(3)电容放电的窗口期很短，存储的电能利用率很低。因此，对现有的短时大电流备用电源进行改进，是本
人员需要解决的问题。
技术实现思路
本技术实施例公开了一种短时大电流备用电源管理装置。本技术实施例包括：超级电容充电管理电路。本实施例中，超级电容充电管理电路具体包括：超级电容C4和C8、三极管Q1和Q2、电阻R7和R24。本技术以超级电容C4、C8作为备份电源，输出电流能力强，能够作为各种系统的短时备用电源，且三极管Q1、Q2和电阻R7、R24构成了恒流源充电电路，实现了对超级电容C4、C8进行充电，该短时大电流备用电源管理装置还包括掉电检测电路和放电电路，使得该装置具有多种控制机制，无需增加额外的控制信号，自成系统。本技术实施例提供了一种短时大电流备用电源管理装置，包括：超级电容充电管理电路；所述超级电容充电管理电路具体包括：超级电容C4和C8、三极管Q1和Q2、电阻R7和R24；所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的基级连接；所述三极端Q2的基级和所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端和所述超级电容C4的正极连接；所述电容C4的负极和所述电容C8的正极连接；所述电容C8的负极接地；所述三极管Q1的集电极和所述电阻R24的一端连接，所述电阻R24的另一端和所述三极管Q1的基级连接；所述三极管Q1的基级和所述三极管Q2的集电极连接；所述三极管Q2的发射极和所述电容C4的正极连接。优选地，所述超级电容充电管理电路还包括：可控精密稳压源U4、电阻R8、R13、R22；所述可控精密稳压源U4的阴极和所述三极管Q1的基级连接；所述可控精密稳压源U4的参考极所述电阻R13的一端连接，所述R13的另一端和所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端和所述三极管Q2的发射极连接；所述电阻R22的一端和所述可控精密稳压源U4的参考极连接，所述电阻R22的另一端接地。优选地，所述超级电容充电管理电路还包括：芯片U3和U5、电阻R9、R10、R15、R19、R20和R23、三极管Q3和Q4；所述芯片U3的引脚3和所述三极管Q2的发射极连接；所述芯片U3的引脚2和所述电阻R15的一端连接，所述电阻R15的另一端和所述三极管Q3的基级连接；所述三极管Q3的集电极和所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端和电阻R9的一端连接，且和所述超级电容C4的正极连接；所述电阻R9的一端和所述电阻R10的一端连接，且和所述三极管Q2的发射极连接，所述电阻R9的另一端和所述芯片的引脚2连接；所述芯片U3的引脚1和所述芯片U5的引脚3连接；所述芯片U5的引脚2和所述电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端和所述三极管Q4的基级连接；所述三极管Q4的集电极和所述电阻R20的一端连接，所述电阻R20的另一端和所述超级电容C8的正极连接；所述电阻R19的一端和所述电阻R20的一端连接，且和芯片U3的引脚1连接，所述电阻R19的另一端和所述芯片U5的引脚2连接；所述芯片U5的引脚1、所述三极管Q4的发射极接地。优选地，所述超级电容充电管理电路还包括：二极管D2；所述二极管D2的正极与第一外部电源连接，所述二极管D2的负极与所述三极管Q1的集电极连接。优选地，本技术实施例提供了一种短时大电流备用电源管理装置还包括：掉电检测电路；所述掉电检测电路包括：电容C1、电阻R1、R2、R4、R5和R6、稳压管D1、比较器U1；所述电容C1的一端与第一外部电源连接，另一端接地；所述电阻R2的一端与所述第一外部电源连接，另一端与所述电阻R4的一端连接，并与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端接地；所述电阻R4的另一端与所述比较器的同相输入端连接；所述电阻R1的一端外接第二外部电源，另一端与所述稳压管D1的负极连接，且与所述电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述比较器U1的反相输入端连接；所述稳压管D1的正极接地；所述比较器U1的外接电源端与所述第二电源连接，接地端接地。优选地，本技术实施例提供了一种短时大电流备用电源管理装置，还包括：放电电路；所述放电电路包括：芯片U2、电阻R11、R14、R16、R17和R21、电容C5和C9、电感L1、二极管D3；所述电阻R14的一端与所述芯片U2的引脚7连接，所述电阻R14的另一端与所述芯片U2的引脚6连接；所述电阻R16的一端与所述芯片U2的引脚3连接，所述电阻R16的另一端与所述芯片U2的引脚6连接；所述电容C9的一端与所述芯片U2的引脚8连接，所述电容C9的另一端接地；所述电感L1的一端与所述芯片U2的引脚6连接，所述电感L1的另一端与所述芯片U2的引脚5连接；所述二极管D3的正极与所述芯片U2的引脚5连接，所述二极管D3的负极与电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端与所述芯片U2的引脚2连接；所述电容C5的一端与所述芯片U2的引脚1连接，所述电容C5的另一端与所述电阻R21的一端连接，所述电阻R21的另一端接地；所述电阻R17的一端与所述芯片U2的引脚2连接，所述电阻R17的另一端接地。优选地，所述放电电路还包括：电阻R18；所述电阻R18的一端与所述芯片U2的引脚2连接。优选地，所述放电电路还包括：电容C6和电容C7；所述电容C6一端和所述二极管D3的负极连接，且与第二外部电源连接，所述电容另一端接地；所述电容C7一端和所述二极管D3的负极连接，且与第二外部电源连接，所述电容另一端接地。优选地，所述电阻R18的一端与所述芯片U2的引脚2连接，所述电阻R18的另一端与所述比较器U1的输出端连接。优选地，所述芯片U2的引脚6与所述超级电容C4、C8的正极连接。从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点：本技术实施例提供了一种短时大电流备用电源管理装置，包括：超级电容充电管理电路。本实施例中，超级电容充电管理电路具体包括：超级电容C4和C8、三极管Q1和Q2、电阻R7和R24；三极管Q1的发射极和三极管Q2的基级连接；三极端Q2的基级和电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端和超级电容C4的正极连接；电容C4的负极和电容C8的正极连接；电容C8的负极接地；三极管Q1的集电极和电阻R24的一端连接，电阻R24的另一端和三极管Q1的基级连接；三极管Q1的基级和三极管Q2的集电极连接；三极管Q2的发射极和电容C4的正极连接。本技术以超级电容C4、C8作为备份电源，输出电流能力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种短时大电流备用电源管理装置，其特征在于，包括：超级电容充电管理电路；所述超级电容充电管理电路具体包括：超级电容C4和超级电容C8、三极管Q1和三极管Q2、电阻R7和电阻R24；所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的基级连接；所述三极管Q2的基级和所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端和所述超级电容C4的正极连接；所述电容C4的负极和所述电容C8的正极连接；所述电容C8的负极接地；所述三极管Q1的集电极和所述电阻R24的一端连接，所述电阻R24的另一端和所述三极管Q1的基级连接；所述三极管Q1的基级和所述三极管Q2的集电极连接；所述三极管Q2的发射极和所述电容C4的正极连接。

【技术特征摘要】
1.一种短时大电流备用电源管理装置，其特征在于，包括：超级电容充电管理电路；所述超级电容充电管理电路具体包括：超级电容C4和超级电容C8、三极管Q1和三极管Q2、电阻R7和电阻R24；所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的基级连接；所述三极管Q2的基级和所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端和所述超级电容C4的正极连接；所述电容C4的负极和所述电容C8的正极连接；所述电容C8的负极接地；所述三极管Q1的集电极和所述电阻R24的一端连接，所述电阻R24的另一端和所述三极管Q1的基级连接；所述三极管Q1的基级和所述三极管Q2的集电极连接；所述三极管Q2的发射极和所述电容C4的正极连接。2.根据权利要求1所述的短时大电流备用电源管理装置，其特征在于，所述超级电容充电管理电路还包括：可控精密稳压源U4、电阻R8、电阻R13、电阻R22；所述可控精密稳压源U4的阴极和所述三极管Q1的基级连接；所述可控精密稳压源U4的参考极所述电阻R13的一端连接，所述R13的另一端和所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端和所述三极管Q2的发射极连接；所述电阻R22的一端和所述可控精密稳压源U4的参考极连接，所述电阻R22的另一端接地。3.根据权利要求1所述的短时大电流备用电源管理装置，其特征在于，所述超级电容充电管理电路还包括：芯片U3和芯片U5、电阻R9、电阻R10、电阻R15、电阻R19、电阻R20和电阻R23、三极管Q3和三极管Q4；所述芯片U3的引脚3和所述三极管Q2的发射极连接；所述芯片U3的引脚2和所述电阻R15的一端连接，所述电阻R15的另一端和所述三极管Q3的基级连接；所述三极管Q3的集电极和所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端和电阻R9的一端连接，且和所述超级电容C4的正极连接；所述电阻R9的一端和所述电阻R10的一端连接，且和所述三极管Q2的发射极连接，所述电阻R9的另一端和所述芯片的引脚2连接；所述芯片U3的引脚1和所述芯片U5的引脚3连接；所述芯片U5的引脚2和所述电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端和所述三极管Q4的基级连接；所述三极管Q4的集电极和所述电阻R20的一端连接，所述电阻R20的另一端和所述超级电容C8的正极连接；所述电阻R19的一端和所述电阻R20的一端连接，且和芯片U3的引脚1连接，所述电阻R19的另一端和所述芯片U5的引脚2连接；所述芯片U5的引脚1、所述三极管Q4的发射极接地；其中，所述芯片U3和所述芯片U5均为CAT809RTBI-T芯片。4.根据权利要求1所述的短时大电流备用电源管理装置，其特征在于，所述超级电容充电管理电路还包括：二极管D2；所述二极管D2的正极与第一外部电源连接，所述二极管D2的负极与所述三极管Q1的集电极连接。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：周立功，
申请(专利权)人：广州致远电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44