一种外延锡酸锶钴薄膜及其制备方法技术
An extended strontium stannate cobalt film and its preparation method
The invention relates to an epitaxial strontium stannate cobalt film and its preparation method, with single perovskite crystal or cubic structure as substrate, tin strontium cobalt films by pulsed laser deposition technique is deposited on the substrate epitaxial cobalt strontium stannate films, the extension of Stannate chemical strontium cobalt films composed of SrSn1 xCoxO3, 0 < x < 1, where Co atoms replace SrSnO3 Sn in the. The tin strontium cobalt film prepared by the method has good crystal quality, surface quality, optical and electrical properties, and can be widely used in semiconductor optoelectronic devices, sensors, solar cells and other fields.
【技术实现步骤摘要】
一种外延锡酸锶钴薄膜及其制备方法
本专利技术属于半导体氧化物薄膜材料领域，具体涉及一种在单晶衬底上制备外延锡酸锶钴薄膜的方法。
技术介绍
碱土金属锡酸盐MSnO3(M＝Sr，Ba，Ca)是一类具有钙钛矿晶体结构和优异介电、传感等性能的新型半导体材料，在电容器、湿度传感器、太阳能电池等诸多领域都有广泛应用。对MSnO3结构进行金属离子掺杂以改善其光学、电学性能是该领域的研究热点，如金属元素La、Sb、Er等分别被掺入MSnO3的M位或Sn位，以调控其光学、电学和磁学性能。三种碱土金属锡酸盐中，SrSnO3材料具有更高的光学带隙(4.27eV)，因此得到的关注更多，研究重点是通过掺杂制备透明导电氧化物薄膜。如LiuQZ采用脉冲激光沉积方法在STO(001)衬底上制备了Sb掺杂的SrSnO3薄膜(JAppliedPhys.2008；103:0937091-4)，以及Nd掺杂的SrSnO3薄膜(ThinSolidFilms.2011；519:6059–63)，二者均具有良好的导电性和透明特性。另外，文献(JournalExploringtheFrontiersofPhys...
【技术保护点】
一种外延锡酸锶钴薄膜，其特征在于，以钙钛矿结构的单晶或立方结构的单晶为衬底，以锡酸锶钴陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积技术在所述衬底上沉积外延锡酸锶钴薄膜，所述延锡酸锶钴薄膜的化学组成为SrSn1‑xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原子取代SrSnO3中的Sn位。
【技术特征摘要】
1.一种外延锡酸锶钴薄膜，其特征在于，以钙钛矿结构的单晶或立方结构的单晶为衬底，以锡酸锶钴陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积技术在所述衬底上沉积外延锡酸锶钴薄膜，所述延锡酸锶钴薄膜的化学组成为SrSn1-xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原子取代SrSnO3中的Sn位。2.根据权利要求1所述的外延锡酸锶钴薄膜，其特征在于，所述外延锡酸锶钴薄膜的厚度为10～1000nm。3.根据权利要求1或2所述的外延锡酸锶钴薄膜，其特征在于，所述外延锡酸锶钴薄膜的表面粗糙度为0.1～1nm。4.一种如权利要求1-3中任一项所述外延锡酸锶钴薄膜的制备方法，其特征在于，包括：（1）选取锡酸锶钴为靶材，利用脉冲激光沉积技术在预处理后的衬底表面进行薄膜生长；（2）将（1）所得薄膜在一定气氛下进行热处理。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）...
【专利技术属性】
技术研发人员：高相东，虎学梅，李效民，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31
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