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本发明涉及一种外延锡酸锶钴薄膜及其制备方法，以钙钛矿结构的单晶或立方结构的单晶为衬底，以锡酸锶钴陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积技术在所述衬底上沉积外延锡酸锶钴薄膜，所述延锡酸锶钴薄膜的化学组成为SrSn1‑xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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