一种磁传感器制造技术

本发明专利技术涉及半导体元件技术领域，其公开了一种磁传感器，包括至少二磁感测元件，所述至少二磁感测元件构成至少一流通电流方向相反且对称设置的磁感测元件对。本发明专利技术提供的磁传感器，通过至少二磁感测元件对中的磁感测元件的流通电流方向相反的对称设置，消除由于制程偏差引起的单个磁传感器元件的电阻不对称，使得磁感测元件感测磁场强度更加准确。

A magnetic sensor

The present invention relates to the technical field of semiconductor devices, and discloses a magnetic sensor, including at least two magnetic sensing element, wherein at least two magnetic sensing element constituting at least one circulating current in the opposite direction and symmetrically arranged on magnetic sensing element. The present invention provides a magnetic sensor, through at least two magnetic sensing element of the symmetric magnetic current direction sensing element instead of the set, eliminating the resistance of asymmetric single magnetic sensor element process caused by the deviation of the magnetic sensing element detects the magnetic field intensity is more accurate.

【技术实现步骤摘要】
一种磁传感器
本专利技术涉及半导体元件
，更具体的说，是涉及一种磁传感器。
技术介绍
霍尔元件是应用霍尔效应的半导体，即为磁场传感器，其一般用于电机中测定转子转速，其作用是检测磁极的位置，且由于霍尔测出的结果只是磁场脉冲。其在磁场力作用下，在金属或通电半导体中将产生霍尔效应，其输出电压与磁场强度成正比，霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象，其本质是：固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差，即：霍尔电压。目前在电机上的磁传感器只包括一个，单个磁传感器元件的角间距是固定的，由于单个不对称的磁传感器的制程偏差，如杂浓度的差异和光刻差异，而导致其电阻不对称，影响其磁场检测电流，导致霍尔元件磁感测元件感测磁场强度不准确。
技术实现思路
本专利技术提供了一种磁传感器，通过对称设置的至少二磁感测元件，消除由于制程偏差引起的单个磁传感器元件的电阻不对称。为实现上述目的，本专利技术提供如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器，其特征在于，包括至少二磁感测元件，所述至少二磁感测元件构成至少一个流通电流方向相反且对称设置的磁感测元件对。

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，包括至少二磁感测元件，所述至少二磁感测元件构成至少一个流通电流方向相反且对称设置的磁感测元件对。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述每一磁感测元件包括四个接触端子，其中，对于每一个所述磁感测元件，所述磁感测元件的每个接触端子都与对应的接触端子总线连接，构成总线接触端子。3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述每一磁感测元件呈十字形，所述四个接触端子分别设置在所述磁感测元件的四个端点。4.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述每一磁感测元件的接触端子与对应所述接触端子总线通过相同距离的连接线相连。5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述一对磁感测元件中的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭慧民，楼书作，陈晓明，蔡光杰，王俊辉，霍晓，
申请(专利权)人：德昌电机深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44