基于磁耦合原理的波导‑微带功率合成器制造技术

本发明专利技术公开了一种矩形波导‑微带集成功率分配/合成技术，该技术采用磁耦合原理在全波导带宽内实现两路对称的功率分配/合成和波导‑微带集成传输线转换目的。采用该技术实现的波导‑微带功率分配/合成器，具有损耗低、频带宽、支路间幅度/相位一致性好，且波导端口与两微带端口在同一传输方向、结构紧凑、便于加工实现、便于与常用的波导电桥组合使用，可广泛地应用于微波毫米波宽带功率合成系统中。

Microstrip waveguide power combiner based on the principle of magnetic coupling

The invention discloses a rectangular waveguide microstrip integrated power distribution / synthesis technology, the technology uses magnetic coupling principle in full wave band width is realized in the power distribution / two symmetrical synthesis and waveguide microstrip integrated transmission line conversion to. Waveguide microstrip power distribution / implementation by using the technology of the synthesizer, with low loss, wide frequency band, interchannel amplitude / phase consistency, and waveguide port and two port microstrip transmission in the same direction, compact structure, easy processing, easy to use and realize the combination of the commonly used waveguide bridge, can be widely used in microwave millimeter wave broadband power combining system.

【技术实现步骤摘要】
基于磁耦合原理的波导-微带功率合成器
本专利技术属于微波毫米波固态功率合成
特别涉及毫米波、亚毫米波段波导-微带集成功率分配与合成技术。
技术介绍
微波毫米波固态系统的应用与发展很大程度上取决于其输出功率，但单个固态器件的输出功率总是有一定限度的，且随着工作频率的上升，由于材料、工艺原因，固态器件输出能力呈指数下降，很难满足实际应用的需求。因此在要得到高功率输出的系统中，就需要使用多个固态放大器进行功率合成以满足所需要的大功率输出的要求或者反过来进行功率的分配。随着微波毫米波微电子技术在系统应用的深入开展，微波毫米波功率合成/分配器在无线通信、雷达、遥控遥感、微波测量等领域中得到了越来越广泛的应用。应用的需求推动技术的发展，设计宽频带、低损耗的功率合成/分配器具有日趋重大的实际意义与迫切性。矩形波导是微波毫米波频段的重要传输媒介，它具有功率容量大、损耗小、无辐射损耗、Q值高等特点，在微波毫米波电路和系统中被极为广泛地应用。另一方面，作为微波混合集成电路和微波单片集成电路基础的微带线，具有易于与有源功率器件衔接且制作成本低等优点，是很多应用中必不可少的传输线。在微波毫米波领域，先通过微带线电路结构连接放大器等有源器件完成对单路信号功率的放大，接着将多路放大的信号在大功率容量的波导中进行合成以实现所需的大功率输出，这种波导—微带形式的功率分配/合成器已经成为越来越多的高功率电路应用中的迫切需求。学术界已经对功率合成器进行了较为成熟的研究，其中不乏波导-微带集成功率分配/合成器，但目前已有的波导-微带集成功率分配/合成器都是基于电场耦合原理的结构。这些结构的波导开窗都在波导宽边上，在某些场合不适用。本专利技术所提出的基于磁耦合原理的波导—微带集成功率分配/合成器，其窗口开在波导的短路面上，波导端口与两微带端口在同一传输方向，性能稳定，结构紧凑，非常适用于微波毫米波宽带功率合成系统中。
技术实现思路
本专利技术目的提供一种新型的基于磁耦合原理的波导-微带集成功率分配/合成器。此种功率分配/合成器损耗低、频带宽，支路间幅度、相位一致性好，且结构紧凑、易于加工实现。本专利技术所述功率分配/合成器的波导端口与两微带端口在同一传输方向，可弥补传统波导-微带集成功率分配/合成器在某些场合由于结构形式原因受限而无法应用的缺点。本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器结构如图1所示，包括：包括矩形波导、两个耦合环、两微带线阻抗变换段、两50欧姆微带传输线。基片平行波导E面，在结构上实现对微带及耦合环的支撑功能，且伸入波导内的基片与波导窄臂b同宽；耦合环由微带线向波导内延伸弯曲而成，其末端与阻抗变换段的屏蔽腔体壁相连。耦合环是矩形波导与微带传输线之间的能量过渡结构；微带阻抗变换段主要用以实现耦合环到50欧姆微带线的宽频带阻抗匹配。两耦合环在矩形波导上的安装方式和安装位置是：两耦合环覆着于两独立介质基板上，沿着波导宽边方向，从波导短路面上的两个开口顺着矩形波导的传播方向插入波导内，且环靠近矩形波导短路面。矩形波导短路面附近为磁场最强处，位于此处的E面耦合环与波导间可实现磁场强耦合。两耦合环在波导内结构尺寸相同，位置对称，与波导空间磁场形成相同的耦合，从而实现波导与耦合环间的对称功率分配/合成。设置在耦合环前的独立金属条带，其作用是改善功分器的传输性能。金属条带的长、宽以及条带的位置可通过电磁场仿真优化得到。用于耦合环插装的两个波导短路面开口，对称于短路面的宽边中心。这两个对称的开口面即为耦合环与微带线连接部分的屏蔽腔的横截面，开口宽度W1为阻抗变换段金属条带宽度W2的3－4倍，高度H1为微带介质基片厚度H2的6－8倍，两开口的间距d1为波导宽边a的0.4-0.5倍。本专利技术中，耦合环与微带线连接部分的屏蔽腔的长度L1为对应导波波长的0.2-0.4倍，耦合环的末端与该屏蔽腔体壁相连以实现接地，此外该段屏蔽腔体还可防止能量以空间模式传输。本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器，可在毫米波以及更高工作频率处实现宽带低损耗等功率分配，同时实现了波导立体传输线－微带集成传输线过渡转换，且各微带支路便于集成固态功率器件，可用以实现毫米波及更高频率的固态功率合成。而且，本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器，其波导端口与两微带端口在同一传输方向、结构紧凑、便于加工实现、便于与常用的波导电桥组合使用，可广泛地应用于微波毫米波宽带功率合成系统中。本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器，结构对称，保证了波导能量等功率的分配传输到两路微带传输线中去，达到等功率分配的目的。2.本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器，在实现等功率分配同时，实现了波导到微带线的过渡。电路结构上更加紧凑，且损耗也只与单个波导-微带转换结构相当(<0.1dB)。3.本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器，结构对称性与频率无关，保证了该结构可实现毫米波全波导带宽波导-微带过渡与功率分配/合成，具有宽频带工作特性。4.本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器，采用了基于磁耦合原理的耦合环电路实现波导到微带的能量耦合，其波导端口与两微带端口在同一传输方向，非常适用于毫米波宽带径向功分系统中。5.本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器中，耦合环、微带线及安装用介质基板的加工可由成熟的印制工艺或薄膜工艺完成，波导加工可由一般数控机床完成，电路装配采用精密电路装配技术电路(与一般技术相同)，因而便于加工制作。附图说明图1为本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器的结构示意图；图2(1)为本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器结构尺寸(八毫米波频段(单位：毫米)；图2(2)为本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器中矩形波导短路面开口示意图；图3为本专利技术所述波导-微带集成功率分配/合成器的电磁场仿真结果(八毫米波频段)。图中标记说明：①是标准矩形波导，②是独立金属条带，③是耦合环，④是微带阻抗变换段，⑤是标准微带线输出。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的实施例作详细说明：本实施例在以本专利技术技术方案前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。本实施例为一种基于磁耦合原理的八毫米波波导-微带集成功率分配/合成器，其结构如图1所示，包括矩形波导1、两个独立金属条带2、两个微带耦合环3、两微带线阻抗变换段4、两50欧姆微带传输线5。两耦合环3覆着于两独立介质基板上，沿着矩形波导宽边方向，从波导短路面两对称矩形开口6(矩形波导短路面开口6的结构如图2所示)顺着波导传播方向插入波导内，且环靠近矩形波导短路面。两耦合环3用于最大限度地耦合毫米波矩形波导1中能量；两微带线阻抗变换段4用于在整个频带内分别实现两微带耦合环3与两标准微带线5的阻抗匹配；微带线两侧延伸的E面介质基板用于固定微带线。在8毫米频段(26.5GHz～40GHz)，本实施例所述波导-微带集成功率分配/合成器各部分的主要尺寸如图2所示。矩形波导1采用标准BJ320尺寸(7.112mm×3.556mm)，其长度为8mm，这里记为端口1。两耦合环的外半径R1为1.42mm，内半径R0为1.32mm。独立金属条带与耦合环之间的间距a2为0.6mm，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波导‑微带集成功率分配/合成器，包括：矩形波导(1)、两个独立金属条带(2)、两个耦合环(3)、两微带线阻抗变换段(4)、两50欧姆微带传输线(5)。其特征在于：两路微带线和耦合环电路分别覆着于两独立的E面介质基片上；耦合环由微带线向波导内延伸弯曲而成，在耦合环前设有独立金属条带；两耦合环外形尺寸相等，构造相同，经波导短路面两个开口顺着矩形波导传播方向插入波导内；两耦合环插装位置对称于矩形波导短路面的宽边中心，且环靠近矩形波导短路面。

【技术特征摘要】
1.一种波导-微带集成功率分配/合成器，包括：矩形波导(1)、两个独立金属条带(2)、两个耦合环(3)、两微带线阻抗变换段(4)、两50欧姆微带传输线(5)。其特征在于：两路微带线和耦合环电路分别覆着于两独立的E面介质基片上；耦合环由微带线向波导内延伸弯曲而成，在耦合环前设有独立金属条带；两耦合环外形尺寸相等，构造相同，经波导短路面两个开口顺着矩形波导传播方向插入波导内；两耦合环插装位置对称于矩形波导短路面的宽边中心，且环靠近矩形波导短路面。2.根据权利要求1所述波导-微带集成功率分配/合成器，其特征在于：基片平行波导E面，在结构上实现对微带及耦合环的支撑功能，且伸入波导内的基片与波导窄臂b同宽。3.根据权利要求1所述波导-微带集成功率分配/合成器，其特征在于：耦合环由微带线向波导内延伸弯曲而成，其末端与阻抗变换段的屏蔽腔体壁相连(相当于接地)。耦合环的内外半径、环到波导短路面的距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢小强，杨迎，杨超，吴健苇，赵轩，佘宇琛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51