多晶硅块及其制造方法技术

本发明专利技术涉及多晶硅块及其制造方法。所述多晶硅块为方形并且在其表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。所述制造方法包括：提供多晶硅棒，将所述多晶硅棒粉碎成方形块，以及对多晶硅块进行清洁，其中，使用具有至少一个齿辊的齿辊式粉碎机进行粉碎，所述至少一个齿辊包含W2C相，或者包含WC相以及0.1‑10％选自由以下组成的组中的金属碳化物：碳化钛、碳化铬、碳化钼、碳化钒和碳化镍，或者由具有1–25％W的钢组成。

Polysilicon block and manufacturing method thereof

The present invention relates to polycrystalline silicon block and its manufacturing method. The polysilicon block is square and has a metal content of less than 200pptw and a dopant content of less than 50ppta on its surface. The manufacturing method includes: providing a polycrystalline silicon rod of the polysilicon rod is crushed into square blocks, and clean the polysilicon block the tooth roller crusher has at least one tooth roller grinding, the at least one roll containing W2C phase or WC phase and 0.1 contains 10% the group consisting of metal carbide: titanium carbide, chromium carbide, molybdenum carbide, vanadium carbide and carbide or nickel, which consists of 1 - 25%W steel.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅块及其制造方法本申请为申请日为2013年8月6日，申请号为201310339272.X，专利技术名称为“多晶硅块及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及多晶硅块(polycrystallinesiliconchunks)及其制造方法。
技术介绍
多晶硅用作用于制造电子部件和太阳能电池的原料。其通过含硅气体或含硅气体混合物的热分解而获得。该方法被视作源自气相的沉积(CVD，化学气相沉积)。在大规模上，在称作西门子反应器的反应器中实现这种方法。此处以棒的形式来制造多晶硅。通过手工方法或机械方法将多晶硅棒从反应器上拆除并粉碎。使用粉碎机对这产生的粗块状多晶硅进一步粉碎以提供多晶硅碎片。从US7,950,600B2已知合适的粉碎机，即辊式粉碎机。所要求的辊式粉碎机包含利用轴旋转并粉碎多晶硅的辊，所述辊由钢托辊和多个硬金属片(碎片，部分，segments)组成，硬金属片由其中引入碳化钨的钴基质组成，并且硬金属片以装配在托辊上的形式被可逆地紧固。在粉碎之后，通过机械筛选法或通过光学分类而将块状多晶硅典型地分级或分类。US2007/0235574A1公开了一种用于粉碎和分本文档来自技高网...

【技术保护点】
多晶硅块，所述多晶硅块为方形并且在它们的表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。

【技术特征摘要】
2012.08.06 DE 102012213869.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯·沃赫纳，拉斯洛·法布里，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE