【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的气体传感器设备的方法以及用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的方法和气体传感器设备
本专利技术涉及一种用于制造用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的气体传感器设备的方法、一种用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的气体传感器设备、一种用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的方法、一种相应的设备以及一种相应的计算机程序。
技术介绍
特别是在机动车中可以使用陶瓷氮氧化物传感器、例如基于氧化锆的传感器,以便监控或调节废气后处理系统。在此,传感器元件可以借助厚层技术来生产,其中尺寸例如可以仅仅为大约4毫米乘50毫米乘3毫米。由于这样的尺寸、即由于热质量,为了达到所需的运行温度、例如大约700摄氏度,一位数至两位数瓦特范围内的加热功率可能是典型的。DE102012201304A1公开了一种微机械固体电解质传感器设备和一种相应的制造方法。
技术实现思路
在该背景下,利用在此提出的方案提出根据独立权利要求的一种用于制造用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的气体传感器设备的方法、一种用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的气体传感器设备、一种用于检测测量介质中的至少一种气态分析物的方法、此外一种使用该方法的设备以及最后一种相应的计算机程序。有利的设计方案由相应的从属权利要求和随后的描述得出。根据本专利技术的实施方式可以提供一种微电化学气体传感器、特别是微电化学氮氧化物传感器或基于半导体的借助微系统技术生产的薄层气体传感器或氮氧化物传感器或双腔氮氧化物传感器。因此,例如可以以微系统技术加工半导体衬底,以便生产这样的传感器,或 ...
【技术保护点】
用于制造用于检测测量介质(M)中的至少一种气态分析物的气体传感器设备(100)的方法(500),其中所述方法(500)具有以下步骤:在使用至少一种分离工艺和至少一种涂层工艺的情况下加工(510)第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102),以便在第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)中产生凹槽区段(231、232、233、234、235、236、237、238、239)、固体电解质层(221A、222A、223A)和电极(221B、221C、222B、222C、223B、223C);和将第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)拼接(520),以便在第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)之间产生用于调节测量介质(M)的气体组成的调节腔(111)、用于检测气态分析物的检测腔(112)和用于控制测量介质(M)在调节腔(111)和检测腔(112)之间的扩散的扩散区段(113)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.22 DE 102014226804.41.用于制造用于检测测量介质(M)中的至少一种气态分析物的气体传感器设备(100)的方法(500),其中所述方法(500)具有以下步骤:在使用至少一种分离工艺和至少一种涂层工艺的情况下加工(510)第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102),以便在第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)中产生凹槽区段(231、232、233、234、235、236、237、238、239)、固体电解质层(221A、222A、223A)和电极(221B、221C、222B、222C、223B、223C);和将第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)拼接(520),以便在第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)之间产生用于调节测量介质(M)的气体组成的调节腔(111)、用于检测气态分析物的检测腔(112)和用于控制测量介质(M)在调节腔(111)和检测腔(112)之间的扩散的扩散区段(113)。2.根据权利要求1所述的方法(500),其特征在于,在加工的步骤(510)中,在第一半导体衬底(101)和/或在第二半导体衬底(102)上产生:用于关于伴生气体调节测量介质(M)的气体组成的具有第一电极对(221B、221C)之间的第一固体电解质层(221A)的调节装置(121)、用于确定测量介质(M)中的伴生气体的含量的具有第二电极对(222B、222C)之间的第二固体电解质层(222A)的确定装置(122)和用于检测气态分析物的具有第三电极对(223B、223C)之间的第三固体电解质层(223A)的检测装置(123),其中所述确定装置(122)、所述调节装置(121)和所述检测装置(123)彼此电分离地布置,使得在第一半导体衬底(101)和第二半导体衬底(102)的拼接状态下所述确定装置(122)和所述调节装置(121)成型为调节腔(111)的壁部并且所述检测装置(123)成型为检测腔(112)的壁部。3.根据上述权利要求之一所述的方法(500),其特征在于,在加工的步骤(510)中,在朝向调节腔(111)和检测腔(112)布置的电极(221B、222B、223B)上连接共同的电信号导线并且自身的电信号导线连接在背向调节腔(111)和检测腔(112)布置的电极(221C、222C、223C)上。4.根据上述权利要求之一所述的方法(500),其特征在于,在加工的步骤(510)中,用于调温固体电解质层(221A、222A、223A)和替代地或附加地调温电极(221B、221C、222B、222C、223B、223C)的至少一个调温装置布置在第一半导体衬底(101)的范围内和/或在第二半导体衬底(102)的范围内。5.根据上述权利要求之一所述的方法(500),其特征在于,在加工的步骤(510)中,在第一半导体衬底(101)的范围内和/或在第二半导体衬底(102)的范围内集成分析装置。6.用于检测测量介质(M)中的至少一种气态分析物的气体传感器设备(...
【专利技术属性】
技术研发人员:D利默斯多夫,D孔茨,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。