光电传感器及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光电传感器及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，光电传感器的制作方法，包括：在硅基底上制作薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列；通过微转印工艺将薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列转印在衬底基板上。通过本发明专利技术的技术方案能够提高光电传感器的成像质量。

Photoelectric sensor and its manufacturing method and display device

The invention provides a photoelectric sensor, a manufacturing method and a display device, belonging to the display technology field. The method includes: making photoelectric sensor made of thin film transistor array and photodiode array on a silicon substrate; through the micro transfer process of thin film transistor array and photodiode array on a substrate transfer. The imaging quality of the photoelectric sensor can be improved by the technical proposal of the invention.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种光电传感器及其制作方法、显示装置。
技术介绍
光电传感器具有精度高、反应快、非接触、可测参数多、结构简单等优点，其在检测和控制中的应用非常广泛。例如，光电传感器可应用于烟尘浊度监测仪、条形码扫描笔、产品计数器、光电式烟雾报警器、转速测量仪、激光武器等方面。光电传感器包括阵列基板，阵列基板包括薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PIN)，光电二极管接收光并通过光伏效应将光信号转化为电信号，通过关闭和导通薄膜晶体管分别控制电信号的存储和读取，从而实现检测或控制功能。现有技术由于玻璃工艺的精度问题，利用玻璃基板制备的薄膜晶体管和光电二极管的性能不佳，成像质量较差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种光电传感器及其制作方法、显示装置，能够提高光电传感器的成像质量。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种光电传感器的制作方法，包括：在硅基底上制作薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列；通过微转印工艺将薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列转印在衬底基板上。进一步地，所述制作方法具体包括：在不同的硅基底上分别制作薄膜晶体管阵列和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电传感器的制作方法，其特征在于，包括：在硅基底上制作薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列；通过微转印工艺将薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列转印在衬底基板上。

【技术特征摘要】
1.一种光电传感器的制作方法，其特征在于，包括：在硅基底上制作薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列；通过微转印工艺将薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列转印在衬底基板上。2.根据权利要求1所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：在不同的硅基底上分别制作薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列；通过微转印工艺将制作完成的薄膜晶体管阵列从硅基底上剥离，并将薄膜晶体管阵列放置在形成有电信号引线的衬底基板上，电连接所述薄膜晶体管阵列和所述电信号引线；通过微转印工艺将制作完成的光电二极管阵列从硅基底上剥离，并将光电二极管阵列放置在形成有所述薄膜晶体管阵列的衬底基板上，电连接所述薄膜晶体管阵列和所述光电二极管阵列。3.根据权利要求2所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述光电二极管阵列在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管阵列在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。4.根据权利要求2所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，电连接所述薄膜晶体管阵列和所述电信号引线和电连接所述薄膜晶体管阵列和所述光电二极管阵列具体包括：在将薄膜晶体管阵列放置在形成有电信号引线的衬底基板上后，形成暴露出所述电信号引线的第一过孔、暴露出薄膜晶体管阵列的源极的第二过孔和暴露出薄膜晶体管阵列的漏极的第三过孔；形成通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述源极和所述电信号引线的第一导电连接线，并形成通过所述第三过孔与所述漏极连接的第二导电连接线；将光电二极管阵列放置在形成有所述薄膜晶体管阵列的衬底基板上，使所述光电二极管阵列的电极与所述第二导电连接线接触。5.根据权利要求2所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述通过微转印工艺将制作完成的薄膜晶体管阵列从硅基底上剥离，并将薄膜晶体管阵列放置在形成有电信号引线的衬底基板上之前还包括：在形成有电信号引线的衬底基板上制备一层第一粘结层；所述通过微转印工艺将制作完成的薄膜晶体管阵列从硅基底上剥离，并将薄膜晶体管阵列放置在形成有电信号引线的衬底基板上包括：利用微转印印章吸附从硅基底上剥离的所述薄膜晶体管阵列；将吸附在微转印印章上的薄膜晶体管阵列与所述第一粘结层相接触，使得所述薄膜晶体管阵列粘附在所述第一粘结层上。6.根据权利要求5所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述通过微转印工艺将制作完成的光电二极管阵列从硅基底上剥离，并将光电二极管阵列放置在形成有所述薄膜晶体管阵列的衬底基板上之前还包括：在形成有所述薄膜晶体管阵列的衬底基板上制备一层第二粘结层；所述通过微转印工艺将制作完成的光电二极管阵列从硅基底上剥离，并将光电二极管阵列放置在形成有所述薄膜晶体管阵列的衬底基板上包括：利用微转印印章吸附从硅基底上剥离的所述光电二极管阵列；将吸附在微转印印章上的光电二极管阵列与所述第二粘结层相接触，使得所述光电二极管阵列粘附在所述第二粘结层上。7.根据权利要求1所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：在硅基底上制作薄膜晶体管阵列和光电二极管阵列，所述薄膜晶体管阵列与所述光电二极管阵列电连接；通过微转印工艺将制作完成的所述薄膜晶体管阵列和所述光电二极管阵列从硅基底上剥离，并将所述薄膜晶体管阵列和所述光电二极管阵列放置在形成有电信号引线的衬底基板上；电连接所述薄膜晶体管阵列和...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉珍，董学，王海生，吴俊纬，刘英明，许睿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11