一种延时电路制造技术

本发明专利技术公开了一种延时电路，包括依次串联在一起的第一电容充放开关电路、第一缓冲器、第二电容充放开关电路与第二缓冲器；所述第一电容充放开关电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一电流源电路、第二电流源电路以及第一电容；所述第二电容充放开关电路包括第二PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第三电流源电路、第四电流源电路以及第二电容。本发明专利技术的延时电路消除了传统延时电路中由于电流源非理想特性而产生的误差，从而提高了延迟电路的延迟精度。

Delay circuit

The invention discloses a delay circuit, including the first series capacitor charging switch circuit, put together the first buffer, the second capacitor charge discharge switch circuit and second buffer; the first capacitor charge discharge switch circuit includes a first PMOS pipe, NMOS pipe, the first third PMOS tube, third NMOS tube, a first current source circuit second, the current source circuit and a first capacitor; the second capacitor charging switch circuit includes a second PMOS tube, second NMOS tube, fourth PMOS tube, fourth NMOS tube, third current source circuit, a current source circuit fourth and second electric capacity. The time delay circuit of the invention eliminates the error caused by the non ideal characteristics of the current source in the traditional delay circuit, thereby improving the delay precision of the delay circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种延时电路
本专利技术涉及半导体集成电路，特别是涉及一种延时电路。
技术介绍
延时电路在集成电路中应用广泛，传统的延时电路是直接利用反相器的延时累加产生所需延时(如图1所示)，然而图1所示的延时电路对工艺偏差很敏感。另一传统延时电路是利用基准电流源对电容充放电产生所需延时(如图2所示)，然而图2所示的延时电路由于电流源的非理想特性会使电路在充电放电过程中产生相应的误差。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种能够解决传统延时电路中电流源非理想特性带来的误差、具有较高延时精度的延时电路。技术方案：为实现上述目的，本专利技术的延时电路包括依次串联在一起的第一电容充放开关电路、第一缓冲器、第二电容充放开关电路与第二缓冲器；所述第一电容充放开关电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一电流源电路、第二电流源电路以及第一电容；所述第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管以及第三NMOS管四者的栅极短接并连接输入信号端；所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的源极短接并同时和所述第一缓冲器的输入端A以及第一电容的一端连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种延时电路，其特征在于：包括依次串联在一起的第一电容充放开关电路、第一缓冲器、第二电容充放开关电路与第二缓冲器；所述第一电容充放开关电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一电流源电路、第二电流源电路以及第一电容；所述第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管以及第三NMOS管四者的栅极短接并连接输入信号端；所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的源极短接并同时和所述第一缓冲器的输入端A以及第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；所述第一PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、以及第三NMOS管的源极三者均通过第一电流源电路接电源电压，所述第一NMO...

【技术特征摘要】
1.一种延时电路，其特征在于：包括依次串联在一起的第一电容充放开关电路、第一缓冲器、第二电容充放开关电路与第二缓冲器；所述第一电容充放开关电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第一电流源电路、第二电流源电路以及第一电容；所述第一PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管以及第三NMOS管四者的栅极短接并连接输入信号端；所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的源极短接并同时和所述第一缓冲器的输入端A以及第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；所述第一PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、以及第三NMOS管的源极三者均通过第一电流源电路接电源电压，所述第一NMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极、以及第三NMOS管的漏极三者均通过第二电流源电路接地；所述第二电容充放开关电路包括第二PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第三电流源电路、第四电流源电路以及第二电容；...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾亮东，艾平平，马晓武，
申请(专利权)人：上海吉锝芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31