一种延时电路制造技术

本申请公开了一种延时电路，包括：基准电流源，用于产生基准电流；电流调整电路，用于根据控制信号调整基准电流，获得调整电流；电流镜，包括栅极连接的第一MOS管和第二MOS管，用于将调整电流从第一MOS管镜像到第二MOS管；延时核心电路，包括第三MOS管、第四MOS管、电容和反相器，第三MOS管和第四开关的栅极接收输入信号，第三MOS管、第四MOS管分别和第二MOS管的漏、源极连接，第二MOS管和第三MOS管的漏极和电容相连，第二MOS管和第三MOS管和反相器相连，延时核心电路用于在输入信号的上升沿到来之前，给电容充电，在输入信号的上升沿到来之时，通过电容放电实现延长通过反相器输出的输出信号的上升沿，从而实现延时的精确控制。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及模拟集成电路设计领域，特别涉及一种延时电路的设计。
技术介绍
IC在实际生产中受工艺漂移影响明显，延时电路同样受工艺漂移影响，但在定时精度要求较高的控制电路中，不受工艺影响，并且可以精确控制延迟时间的延时电路就显得至关重要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可调的上升沿延时电路，能够精准调节输入信号的上升沿，保证在各种工艺下都能获得高精度延时的输出信号。根据本技术实施例，提供一种延时电路，包括：基准电流源，用于产生基准电流；电流调整电路，用于根据控制信号调整所述基准电流，获得调整电流；电流镜，包括栅极连接的第一MOS管和第二MOS管，用于将所述调整电流从第一MOS管镜像到第二MOS管；延时核心电路，包括第三MOS管、第四MOS管、电容和反相器，所述第三MOS管和第四MOS管的栅极接收输入信号，所述第三MOS管、第四MOS管分别和所述第二MOS管的漏、源极连接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的漏极和所述电容相连，所述第二MOS管和所述第三MOS管和所述反相器相连，延时核心电路用于在所述输入信号的上升沿到来之前，给所述电容充电，在所述输入信号的上升沿到来之时，通过所述电容放电实现延长通过反相器输出的输出信号的上升沿。可选地，电流调整电路包含多个信号输入端，通过所述信号输入端输入控制信号，通过控制信号控制所述调整电流相对于所述基准电流的调整系数。可选地，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管是NMOS管，所述第四MOS管是PMOS管，所述PMOS的源极连接电源电压。本申请公开了一种延时电路，包括：基准电流源，用于产生基准电流；电流调整电路，用于根据控制信号调整基准电流，获得调整电流；电流镜，包括栅极连接的第一MOS管和第二MOS管，用于将调整电流从第一MOS管镜像到第二MOS管；延时核心电路，包括第三MOS管、第四MOS管、电容和反相器，第三MOS管和第四开关的栅极接收输入信号，第三MOS管、第四MOS管分别和第二MOS管的漏、源极连接，第二MOS管和第三MOS管的漏极和电容相连，第二MOS管和第三MOS管和反相器相连，延时核心电路用于在输入信号的上升沿到来之前，给电容充电，在输入信号的上升沿到来之时，通过电容放电实现延长通过反相器输出的输出信号的上升沿，从而实现延时的精确控制附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出根据本技术实施例的延时电路的示意性电路图；图2示出根据本技术实施例的输入信号和输出信号的示意图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1示出根据本技术实施例的延时电路的示意性电路图。该延时电路包括基准电流源101、电流调整电路102、电流镜103和延时核心电路104。基准电流源101用来产生所需的不随温度变化的基准电流源，同时该基准电流源可以对抗工艺漂移。电流调整电路102用Sel_1到Sel_N的N个控制信号，控制输出电流β*Iref中系数β的变化，从而获得不同的输出电流。电流调整电路102工作时，接收控制信号Sel_1～Sel_N，由于在设计时控制信号Sel_1～Sel_N一部分作为粗调信号、一部分作为细调信号，通过粗细结合调整既保证了输出电流β*Iref中系数β可以大范围调节、又能精确调节，为高精度延时提供可靠保证。电流镜103由第一MOS管N1和第二MOS管N2组成，将电流β*Iref镜像到MOS管N2。延时核心电路104包括第三MOS管P1、第四MOS管N3、电容Cap和反相器Inv，MOS管P1和MOS管N3的栅极接收输入信号Vin，MOS管P1的漏极和MOS管N2的漏极相连，MOS管P1的源极接收电源电压Vpower，MOS管N3的漏极和MOS管N2的源极相连，MOS管N3的源极接地，电容Cap的一端连接MOS管N2、MOS管P1的漏极以及反相器的输入端，另一端接地，反相器的输出端输出信号Vout。延时核心电路104在工作时，Vin信号是需要延时的信号。当Vin信号的上升沿到来之前，即Vin为低电平时，MOS管P1导通、而N3管截止，此时通过MOS管P1对电容Cap进行充电，并将Cap上极板充至电源电压Vpower，此时Vout＝0，而虽然N2管的栅极电压与N1管相同，但由于N3管截止，此时N2管不能复制N1管的电流β*Iref。当Vin上升沿到来时，P1管截止、N3管导通，此时N2管复制有N1管电流的趋势，电容Cap通过N2、N3对地进行放电。当电容Cap上极板的电压下降至反相器Inv的转变阈值电压时，输出信号Vout的上升沿到来。因此，从电容电压从Vpower放电到反相器Inv的转变阈值电压即为上升沿延时时间。从图1可知，在本实施例的电路设计中，第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管是NMOS管，第四MOS管是PMOS管，PMOS的源极连接电源电压。在工作时，输入信号Vin从低电平变为高电平，从而延迟输出信号Vout的上升沿。如果Vin是一个从高电平到低电平的信号，需要延迟高电平的时间，则可将图1中的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管设置是NMOS管，第四MOS管是PMOS管，从而延迟输出信号Vout的下降沿。图2示出根据本技术实施例的输入信号和输出信号的示意图。由图2可知，当输入信号Vin开始上升沿时，输出信号Vout仍处于低电平状态(即T0时段)，在T0时段电容持续放电，直到电容Cap上极板的电压下降至反相器Inv的转变阈值电压时，输出信号Vout才到来。也就是说，输出信号Vout比输入信号的上升沿延迟T0时刻。在本专利技术实施例中，利用电流调整电路102和电流镜103，可以精确控制电容的放电速度，从而实现延时的精确控制。又由于电流调整电路102预留较多的可调电路，既可以保证在各种工艺条件下获得高精度延时、又可以实现延时可调。依照本技术的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地利用本技术以及在本技术基础上的修改使用。本技术的保护范围应当以本技术权利要求所界定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种延时电路，其特征在于，包括：基准电流源，用于产生基准电流；电流调整电路，用于根据控制信号调整所述基准电流，获得调整电流；电流镜，包括栅极连接的第一MOS管和第二MOS管，用于将所述调整电流从第一MOS管镜像到第二MOS管；延时核心电路，包括第三MOS管、第四MOS管、电容和反相器，所述第三MOS管和第四MOS管的栅极接收输入信号，所述第三MOS管、第四MOS管分别和所述第二MOS管的漏、源极连接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的漏极和所述电容相连，所述第二MOS管和所述第三MOS管和所述反相器相连，延时核心电路用于在所述输入信号的上升沿到来之前，给所述电容充电，在所述输入信号的上升沿到来之时，通过所述电容放电实现延长通过反相器输出的输出信号的上升沿。

【技术特征摘要】
1.一种延时电路，其特征在于，包括：基准电流源，用于产生基准电流；电流调整电路，用于根据控制信号调整所述基准电流，获得调整电流；电流镜，包括栅极连接的第一MOS管和第二MOS管，用于将所述调整电流从第一MOS管镜像到第二MOS管；延时核心电路，包括第三MOS管、第四MOS管、电容和反相器，所述第三MOS管和第四MOS管的栅极接收输入信号，所述第三MOS管、第四MOS管分别和所述第二MOS管的漏、源极连接，所述第二MOS管和所述第三MOS管的漏极和所述电容相连，所述第二MOS管和所述第三MOS管和所述反...

【专利技术属性】
技术研发人员：李迪，张亦锋，马亮，张登军，刘大海，
申请(专利权)人：珠海泓芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44