一种电机H桥驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电机H桥驱动电路，包括电机M，与电机M的一端连接的三极管Q1和三极管Q4，与三极管Q1和Q4均连接的三极管Q3，连接于三极管Q1的集电极和发射极的二极管D1，连接于三极管Q4的集电极和发射极的二极管D3和电容C1；还包括与电机M的另一端连接的三极管Q2和三极管Q5，与三极管Q2和Q5均连接的三极管Q6，连接于三极管Q2的集电极和发射极的二极管D2，连接于三极管Q5的集电极和发射极的二极管D4和电容C2。本发明专利技术采用6个三极管实现H桥驱动，保证了电路电流经过三极管的稳定性，避免支路无负载情况下电流过大烧坏三极管，同时在H桥内侧添加二极管和电容对电路中的噪声进行过滤，进一步稳定驱动电路。

Motor H bridge drive circuit

The invention discloses a H bridge motor driver circuit, including motor M, triode is connected with one end of the motor M tube Q1 and a triode Q4, Q1 and Q4 are connected with the triode transistor Q3 is connected to the collector of the triode Q1 and emitter diode D1 is connected to the transistor Q4. The collector and emitter diode D3 and capacitor C1; including Q2 and the triode Q5 and the other end is connected with the motor pole tubes M, Q2 and Q5 are connected with the triode transistor Q6 is connected to the collector of the triode Q2 and emitter diode D2 is connected to the collector of the triode Q5 and the emitter diode D4 and capacitor C2. The invention adopts the 6 transistor H bridge driving circuit ensures the stability, the current through the transistor, avoid the branch without load current is too large to burn out the transistor, while adding H bridge inside a diode and a capacitor to filter the noise in the circuit, the drive circuit further stability.

【技术实现步骤摘要】
一种电机H桥驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路，特别是涉及一种电机H桥驱动电路。
技术介绍
现有的电机功率驱动大都采用的H桥式结构，常规的H桥式结构都是由4个三极管与一个电机组成H形的电路结构，也因此称之为H桥。现有的H桥驱动电路大多存在抗磁干扰能力弱，可能需要额外电源的缺点，因此其稳定性不够好，故本专利技术将提供一种稳定驱动的H桥驱动电路。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供一种设计巧妙、稳定可靠的电机H桥驱动电路。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种电机H桥驱动电路，包括电机M，发射极均与电机M的一端连接的三极管Q1和三极管Q4，集电极与三极管Q1和Q4的基极均连接的三极管Q3，两端分别连接于三极管Q1的集电极和发射极的二极管D1，两端分别连接于三极管Q4的集电极和发射极的二极管D3和电容C1，所述三极管Q1的集电极接入供电VCC，三极管Q3的集电极通过电阻R2接入供电VCC，三极管Q3的基极通过电阻R1接入供电VCC，三极管Q3的发射极和三极管Q4的集电极均接地；还包括发射极均与电机M的另一端连接的三极管Q2和三极管Q5，集电极与三极管Q2和Q5的基极均连接的三极管Q6，两端分别连接于三极管Q2的集电极和发射极的二极管D2，两端分别连接于三极管Q5的集电极和发射极的二极管D4和电容C2，所述三极管Q2的集电极接入供电VCC，三极管Q6的集电极通过电阻R3接入供电VCC，三极管Q6的基极通过电阻R4接入供电VCC，三极管Q6的发射极和三极管Q5的集电极均接地；其中，三极管Q1、Q2、Q3和Q6为NPN管，三极管Q4和Q5为PNP管。进一步地，为了便于外接控制时保护三极管，所述三极管Q3的基极还连接有电阻R5，所述三极管Q6的基极还连接有电阻R6。优选地，所述三极管Q1、Q2、Q3和Q6的型号为8050，所述三极管Q4和Q5的型号为8550。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术采用6个三极管实现H桥驱动，分别在现有的H桥式结构的外侧添加了一保护作用的三极管，保证了电路电流经过三极管的稳定性，避免支路无负载情况下电流过大烧坏三极管，同时在H桥内侧添加二极管和电容对电路中的噪声进行过滤，进一步稳定驱动电路，并且本专利技术结构相对简单，成本低廉，安全可靠，具有广泛的市场应用前景，适合推广应用。附图说明图1为本专利技术的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明，本专利技术的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例如图1所示，该电机H桥驱动电路，包括电机M，发射极均与电机M的一端连接的三极管Q1和三极管Q4，集电极与三极管Q1和Q4的基极均连接的三极管Q3，两端分别连接于三极管Q1的集电极和发射极的二极管D1，两端分别连接于三极管Q4的集电极和发射极的二极管D3和电容C1，所述三极管Q1的集电极接入供电VCC，三极管Q3的集电极通过电阻R2接入供电VCC，三极管Q3的基极通过电阻R1接入供电VCC，三极管Q3的发射极和三极管Q4的集电极均接地；还包括发射极均与电机M的另一端连接的三极管Q2和三极管Q5，集电极与三极管Q2和Q5的基极均连接的三极管Q6，两端分别连接于三极管Q2的集电极和发射极的二极管D2，两端分别连接于三极管Q5的集电极和发射极的二极管D4和电容C2，所述三极管Q2的集电极接入供电VCC，三极管Q6的集电极通过电阻R3接入供电VCC，三极管Q6的基极通过电阻R4接入供电VCC，三极管Q6的发射极和三极管Q5的集电极均接地；其中，三极管Q1、Q2、Q3和Q6为NPN管，三极管Q4和Q5为PNP管。优选地，所述三极管Q1、Q2、Q3和Q6的型号为8050，所述三极管Q4和Q5的型号为8550。进一步地，为了便于外接控制时保护三极管，所述三极管Q3的基极还连接有电阻R5，所述三极管Q6的基极还连接有电阻R6。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。按照上述实施例，便可很好地实现本专利技术。值得说明的是，基于上述结构设计的前提下，为解决同样的技术问题，即使在本专利技术上做出的一些无实质性的改动或润色，所采用的技术方案的实质仍然与本专利技术一致的，也应当在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电机H桥驱动电路，其特征在于，包括电机M，发射极均与电机M的一端连接的三极管Q1和三极管Q4，集电极与三极管Q1和Q4的基极均连接的三极管Q3，两端分别连接于三极管Q1的集电极和发射极的二极管D1，两端分别连接于三极管Q4的集电极和发射极的二极管D3和电容C1，所述三极管Q1的集电极接入供电VCC，三极管Q3的集电极通过电阻R2接入供电VCC，三极管Q3的基极通过电阻R1接入供电VCC，三极管Q3的发射极和三极管Q4的集电极均接地；还包括发射极均与电机M的另一端连接的三极管Q2和三极管Q5，集电极与三极管Q2和Q5的基极均连接的三极管Q6，两端分别连接于三极管Q2的集电极和发射极的二极管D2，两端分别连接于三极管Q5的集电极和发射极的二极管D4和电容C2，所述三极管Q2的集电极接入供电VCC，三极管Q6的集电极通过电阻R3接入供电VCC，三极管Q6的基极通过电阻R4接入供电VCC，三极管Q6的发射极和三极管Q5的集电极均接地；其中，三极管Q1、Q2、Q3和Q6为NPN管，三极管Q4和Q5为PNP管。

【技术特征摘要】
1.一种电机H桥驱动电路，其特征在于，包括电机M，发射极均与电机M的一端连接的三极管Q1和三极管Q4，集电极与三极管Q1和Q4的基极均连接的三极管Q3，两端分别连接于三极管Q1的集电极和发射极的二极管D1，两端分别连接于三极管Q4的集电极和发射极的二极管D3和电容C1，所述三极管Q1的集电极接入供电VCC，三极管Q3的集电极通过电阻R2接入供电VCC，三极管Q3的基极通过电阻R1接入供电VCC，三极管Q3的发射极和三极管Q4的集电极均接地；还包括发射极均与电机M的另一端连接的三极管Q2和三极管Q5，集电极与三极管Q2和Q5的基极均连接的三极管Q6，两端分别连接于三极管Q2的集电极和发射极的二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春风，
申请(专利权)人：成都特普瑞斯节能环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51