发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制造方法。发光二极管外延片包括衬底(1)和依次形成在所述衬底(1)上的缓冲层(2)、n型层(4)、应力释放层(5)、多量子阱发光层(6)、以及p型层(8)，所述多量子阱发光层(6)包括多量子阱(601)、以及为所述多量子阱(601)的生成提供表面的表面平整层(602)。本发明专利技术提供的发光二极管外延片及其制造方法中，表面平整层为多量子阱的生长提供了平整的表面，从而改善了多量子阱发光层中势垒层和势阱层之间的界面清晰度，提高了发光效率。

Light emitting diode epitaxial wafer and manufacturing method thereof

The invention discloses a light emitting diode epitaxial slice and a manufacturing method thereof. LED epitaxial wafer comprises a substrate (1) and the substrate (1) are formed on the buffer layer (2), n (4) layer, stress release layer (5), multiple quantum well light emitting layer (6), and the p layer (8), the multi quantum well the light-emitting layer (6) comprises multiple quantum wells (601), as well as the multi quantum well (601) to form a smooth surface layer surface (602). The invention provides a light emitting diode epitaxial wafer and its manufacturing method, surface layer for multi quantum well growth provides a smooth surface, thereby improving the MQW barrier layer and the interface definition between the potential well layer, improve the luminous efficiency.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。氮化镓(GaN)基LED作为固态光源一经出现便以其高效率、长寿命、节能环保、体积小等优点被誉为继爱迪生专利技术电灯后人类照明史上的又一次革命，成为国际半导体和照明领域研发与产业关注的焦点。并且，以GaN、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III-Ⅴ族氮化物材料具有连续可调的直接带宽为0.7～6.2eV，覆盖了从紫外光到红外光的光谱范围，是制造蓝光、绿光和白光发光器件的理想材料。GaN基LED中，发光层通常采用GaN/InGaN的多量子阱结构，其中禁带宽度大的GaN为势垒层，禁带宽度小的InGaN为势阱层，InGaN中In的含量通常为10～20％。以量子阱的形式将电子和空穴束缚在多量子阱的阱层内，以提高发光效率，发光波长由势阱层InGaN的禁带宽度影响，发光亮度受势阱层和势垒层的晶体质量、界面清晰度、极化场强、阱垒高度差等因素的影响。GaN/InGa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(1)和依次形成在所述衬底(1)上的缓冲层(2)、n型层(4)、应力释放层(5)、多量子阱发光层(6)、以及p型层(8)，所述多量子阱发光层(6)包括多量子阱(601)、以及为所述多量子阱(601)的生成提供表面的表面平整层(602)。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(1)和依次形成在所述衬底(1)上的缓冲层(2)、n型层(4)、应力释放层(5)、多量子阱发光层(6)、以及p型层(8)，所述多量子阱发光层(6)包括多量子阱(601)、以及为所述多量子阱(601)的生成提供表面的表面平整层(602)。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，表面平整层(602)采用氮化镓材料。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱(601)中的全部周期形成于所述表面平整层(602)上。4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述表面平整层(602)采用950℃～1100℃和氢气氛围生长。5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱(601)中的部分周期形成于所述表面平整层(602)上。6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱(601)中的每N个周期形成于一个表面平整层(602)上，其中，N为2～4的整数。7.根据权利要求5或6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述表面平整层(602)采用850℃～950℃和氢气氛...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢春林，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44