The invention discloses a method for preparing inorganic quantum dots LED backlight, backlight LED quantum dots prepared by inorganic perovskite quantum dots, novel materials, excellent performance; quantum dot backlighting device structure LED using inorganic luminescent material, its synthesis and crystallization at room temperature by the surface package SiO2, help greatly improve the stability of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种全无机量子点背光LED的制备方法
本专利技术属于量子点光致发光器件领域,涉及一种全无机量子点背光LED的制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED)在显示、照明及背光源等领域应用广泛,因其优异的发光效率和器件性能已逐渐取代传统的荧光灯成为新一代的光源。有机发光二极管(OLED)与量子点发光二极管(QLED)被认为是未来LED发展的两大主要方向。独特量子效应赋予半导体量子点材料发光波长可调,发射光谱峰半高宽窄,量子效率高及等特点,在发光二极管,显示,太阳能电池等领域具有良好应用前景。从1994年首次量子点发光二极管报道到现在,大部分量子点发光二极管的发光层均采用镉基量子点,其制备过程相对繁琐,稳定性亟待提高。全无机钙钛矿量子点作为一种新型发光材料,其荧光性质可通过其尺寸、形状、结构和掺杂来进行调节,具有稳定性高、成本低、光吸收系数高、载流子扩散长度大,光谱可调,用量少和发射光谱宽等优点,可以弥补传统量子点的发光缺点。不仅如此,全无机钙钛矿量子点可制成荧光墨水,可进一步采用刮涂、Roll-to-Roll等产业化技术制备大面积薄膜,组装薄膜质量良好,在大批量生产方面有 ...
【技术保护点】
一种全无机量子点背光LED的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、制备反应溶剂和前驱体溶液,所述反应溶剂包括以下体积分数的组份:5‑100份甲苯、1份长烷链有机胺、1份长烷链有机酸和0.025‑2份烷氧基硅烷;所述前驱体溶液包括摩尔比为0.1‑1.1:1的BX2和AX,所述BX2和AX完全溶解在有机溶剂中,其中,X为Cl、Br或I,A为Cs或Rb,B为Pb、Sn或Mn,BX2的浓度为0.05‑0.4mol/L,AX的浓度为0.05‑0.4mol/L;2)、将步骤1)得到的所述前驱体溶液注入所述反应溶剂中,持续搅拌反应1h‑48h,其中,所述前驱体溶液与反应溶剂的体积比为 ...
【技术特征摘要】
1.一种全无机量子点背光LED的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、制备反应溶剂和前驱体溶液,所述反应溶剂包括以下体积分数的组份:5-100份甲苯、1份长烷链有机胺、1份长烷链有机酸和0.025-2份烷氧基硅烷;所述前驱体溶液包括摩尔比为0.1-1.1:1的BX2和AX,所述BX2和AX完全溶解在有机溶剂中,其中,X为Cl、Br或I,A为Cs或Rb,B为Pb、Sn或Mn,BX2的浓度为0.05-0.4mol/L,AX的浓度为0.05-0.4mol/L;2)、将步骤1)得到的所述前驱体溶液注入所述反应溶剂中,持续搅拌反应1h-48h,其中,所述前驱体溶液与反应溶剂的体积比为1:40-100;3)、离心收集步骤2)沉淀物,所述沉淀物经过干燥后得到表面包裹SiO2的A4BX6粉末,其中,X为Cl、Br或I,A为Cs或Rb,B为Pb、Sn或Mn;4)、将步骤3)得到的表面包裹SiO2的A4BX6粉末与有机粘结剂混合并研磨使其分散均匀,得到发光墨水;5)、将步骤4)得到的发光墨水铺展在蓝光芯片上经过固化后得到全无机量子点背光LED。2.如权利要求1所述的全无机量子点背光LED的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈嘉伟,宋继中,洪道彪,曾海波,刘舒婷,
申请(专利权)人:南京理工大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。