晶片载置装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片载置装置。该晶片载置装置(30)具备：具有晶片载置面的陶瓷基体(32)、埋设于陶瓷基体(32)的加热电极(34)，以及从陶瓷基体(32)的与晶片载置面相反一侧的面电连接于加热电极(34)的Cu制的供电杆(36、37)。供电杆(36)优选在螺纹结合之前的状态下，将一端作为固定端，另一端作为自由端，求出在从固定端起向着自由端为50mm的位置施加的应力与该位置的应变的关系时，与应变1mm对应的应力落入5～10N的范围内。

Wafer mounting device

The present invention provides a wafer mounting device. The wafer mounting device (30) comprises a wafer surface of the ceramic substrate (32), embedded in the ceramic substrate (32) heating electrode (34), and from the ceramic substrate (32) and the wafer is connected to the opposite side of the surface of the electric heating electrode (34) of the Cu system for the pole (36, 37). The power bar (36) preferably in screw combined with the previous state, will end as a fixed end, the other end is a free end, determined from the fixed end up towards the free end of 50mm on the position of the relationship between the stress and the position of the strain, stress and strain corresponding to 1mm in the range of 5 ~ in 10N.

【技术实现步骤摘要】
晶片载置装置
本专利技术涉及晶片载置装置。
技术介绍
以往，作为这种晶片载置装置，已知例如专利文献1中公开的装置。如图4所示，该晶片载置装置具备：陶瓷基体102、埋设于该陶瓷基体102的加热电极104、以及Ni制的供电杆108，该供电杆108从陶瓷基体102的与晶片载置面相反一侧的面电连接于加热电极104的埋设端子106。在加热电极104的埋设端子106与供电杆108之间设有应力缓和层110。应力缓和层110通过焊接层112与加热电极104的埋设端子106接合，并通过焊接层114与供电杆108接合。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利5029257号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，上述晶片载置装置中，供电杆108是Ni制的，因此，在对加热电极104供给电流时，在供电杆108的周围产生磁场，有可能对半导体制造工艺产生不良影响。本专利技术为了解决这样的课题而完成，其主要目的在于，抑制在供电杆的周围产生磁场。用于解决问题的方法本专利技术的晶片载置装置具备：具有晶片载置面的陶瓷基体、埋设于前述陶瓷基体的静电电极、加热电极和高频电极中的至少1个电极、以及从前述陶瓷基体的与晶片载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片载置装置，其具备：具有晶片载置面的陶瓷基体，埋设于所述陶瓷基体的静电电极、加热电极和高频电极中的至少1个电极，以及从所述陶瓷基体的与晶片载置面相反一侧的面电连接于所述电极的Cu制的供电杆。

【技术特征摘要】
2016.03.28 JP 2016-0636231.一种晶片载置装置，其具备：具有晶片载置面的陶瓷基体，埋设于所述陶瓷基体的静电电极、加热电极和高频电极中的至少1个电极，以及从所述陶瓷基体的与晶片载置面相反一侧的面电连接于所述电极的Cu制的供电杆。2.根据权利要求1所述的晶片载置装置，对于所述供电杆，将一端作为固定端，另一端作为自由端，求出在从所述固定端起向着所述自由端为50mm的位置施加的应力与该位置的应变的关系时，与所述应变1mm对应的应力落入5～10...

【专利技术属性】
技术研发人员：天野真悟，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP