存储系统及其操作方法技术方案

本公开涉及一种存储系统及其操作方法。一种存储系统可以包括：半导体存储器件，包括内容可寻址存储(cam)块和正常存储块；以及控制器，适于根据在cam块中储存的选项参数来设置初始设置读取电压，以及根据初始设置读取电压来控制半导体存储器件对正常存储块执行第一读取操作。

Storage system and operation method thereof

The present disclosure relates to a storage system and an operation method thereof. A storage system may include a semiconductor memory device includes a content addressable memory (CAM) block and normal storage block; and a controller is adapted according to the parameters stored in the options in the cam block to set the initial set to read voltage, and according to the initial set to read voltage to control the semiconductor memory device on the normal storage block executes the first read operation.

【技术实现步骤摘要】
存储系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请主张于2016年3月29日提交的申请号为10-2016-0037526的韩国专利申请的优先权，其全部内容以引用的方式全文并入本文中。
本专利技术的各个实施例总体而言涉及一种电子器件，并且，更具体地，涉及一种存储系统及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器件可以分为易失性存储器件和非易失性存储器件。与易失性存储器件相比，非易失性存储器件以相对较低的读写速度进行操作，但是，不论通电/断电状态如何，非易失性存储器件都可以保存所储存的数据。因此，非易失性存储器件用来储存即使在断电情况下也需要保持的数据。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、可电擦除可电编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻型RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。闪存存储器可以被分为NOR型存储器或NAND型存储器。闪存存储器拥有RAM和ROM器件两者的优点。例如，类似于RAM，闪存存储器可以被自由地编程和擦除。此外，类似于ROM，即使在没通电的情况下，闪存存储器也可以保留所储存的数据。闪存存储器已经被广泛用作便携式电子器件(诸如移动电话、数字照相机、个人数字助理(PDA)和MP3播放器)的存储介质。
技术实现思路
各实施例涉及一种具有改善可靠性和读取操作性能的存储系统及其操作方法。根据一个实施例，一种存储系统可以包括：半导体存储器件，包括内容可寻址存储块(cam块)和正常存储块；以及控制器，适于根据在cam块中所储存的选项参数来设置初始设置读取电压，以及控制所述半导体存储器件根据初始设置读取电压对正常存储块执行第一读取操作。根据一个实施例，一种存储系统可以包括：半导体存储器件，包括cam块和正常存储块；以及控制器，适于根据在cam块中储存的选项参数和多个初始设置读取电压索引来设置初始设置读取电压，以及控制半导体存储器件根据初始设置读取电压对正常存储块执行第一读取操作。根据一个实施例，一种操作存储系统的方法可以包括：提供半导体存储器件和控制器，所述半导体存储器件包括cam块和正常存储块，所述控制器适于控制半导体存储器件的读取操作；当读取请求被输入到控制器时，根据在cam块中储存的选项参数来设置初始设置读取电压；根据初始设置读取电压来执行第一读取操作；以及当因所述第一读取操作而读取的数据中所包括的错误比特的数目大于可允许错误比特的最大数目时，根据读取重试方案来执行第二读取操作。附图说明图1是图示根据一个实施例的存储系统的方框图。图2是图示图1的半导体存储器件的方框图。图3是图2的存储单元阵列的实施例的方框图。图4是在存储块中所包括的存储串的三维视图。图5是图示图4的存储串的电路图。图6是图示根据一个实施例的操作存储系统的方法的流程图。图7是图示图6的存储系统的应用示例的方框图。图8是图示包括参考图7描述的存储系统的计算系统的方框图。具体实施方式各实施例可以涉及一种具有改善的可靠性的半导体存储器件及其操作方法。根据在本说明书中公开的概念的实施例的示例的特定结构或功能描述仅是为了描述根据这些概念的实施例的示例，并且，根据这些概念的实施例的示例可以通过各种形式来实现，但是该描述不限于在说明书中描述的实施例的示例。应理解，当描述某一元件“耦接”或“连接”至另一元件时，可以直接耦接或直接连接该元件至另一元件或是通过第三元件将该元件耦接或连接至另一元件。另一方面，应理解，当将某一元件称作“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件时，在两个元件之间不存在另外一个元件。对于描述组件之间关系的其他表述，即“在…之间”或“直接在…之间”或“与…相邻”和“与…直接相邻”，也应当以同样的方式来理解。图1是图示根据一个实施例的存储系统1000的方框图。参见图1，存储系统1000可以包括半导体存储器件100和控制器1100。控制器1100可以耦接至主机和半导体存储器件100。控制器1100可以被配置为应主机的请求来访问半导体存储器件100。例如，控制器1100可以控制半导体存储器件100的读取操作、编程操作、擦除操作和/或后台操作。控制器1100可以提供在半导体存储器件100与主机之间的接口。控制器1100可以驱动用于控制半导体存储器件100的固件。根据一个实施例，当从该主机输入读取请求时，控制器1100可以根据在半导体存储器件100中储存的选项参数来选择多个初始设置读取电压索引中的一个，并且控制器1100可以控制半导体存储器件100执行第一读取操作。该多个初始设置读取电压索引可以被包括在固件中，或是被储存在半导体存储器件100中。此外，当控制器1100确定因第一读取操作而读取的数据中所包括的错误比特的数目大于最大ECC比特数目时，控制器1100可以根据读取重试方案来控制半导体存储器件100执行第二读取操作。该选项参数可以包括半导体存储器件100的温度信息、关于上次执行的读取操作的时间信息、读取计数信息等。控制器1100可以包括随机存取存储器(RAM)1110、处理单元1120、主机接口1130、存储器接口1140以及错误校正块1150。RAM1110可以包括固件并且可以被用作操作存储器、在存储器件1200与主机之间的高速缓冲存储器以及在存储器件1200与主机之间的缓冲存储器。该固件可以包括用于执行操作的算法以及多个初始设置读取电压索引。根据实施例，该固件可以被储存在RAM1110中。然而，控制器1100可以被配置为包括只读存储器(ROM)。处理单元1120可以控制控制器1100的常规操作。处理单元1120可以根据错误校正块1150的错误检测结果和读取重试表，控制半导体存储器件100用逐渐变化的读取电压、通过反复的读取操作来控制第二读取操作的读取电压。主机接口1130可以包括用于在主机与控制器1100之间交换数据的协议。例如，控制器1100可以通过一种或多种不同的协议来与主机通信，该一种或多种不同的协议诸如通用串行总线(USB)协议、多媒体卡(MMC)协议、外围组件互连(PCI)协议、PCI快速(PCI-E)协议、高级技术附件(ATA)协议、串联ATA协议、并联ATA协议、小型计算机小型接口(SCSI)协议、增强型小型磁盘接口(ESDI)协议、集成驱动电子(IDE)协议、私人协议等。存储器接口1140可以与半导体存储器件100交互。例如，该存储器接口可以包括NAND闪存接口或NOR闪存接口。错误校正块1150可以通过使用错误校正码(ECC)来检测及校正在从半导体存储器件100读取的数据中的错误。例如，错误校正块1150可以将被检测到的错误比特的数目与可允许错误比特的最大数目相比较，并在被检测到的错误比特的数目小于可允许错误比特的最大数目时，校正被检测到的错误比特。控制器1100和半导体存储器件100可以被集成在单个半导体器件中。根据实施例，控制器1100和半导体存储器件100可以被集成在单个半导体器件中以形成存储卡，诸如PC卡(个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA))、紧凑型闪存卡(CF)、智能媒体卡(SMC)、存储棒、多媒体卡(MMC、RS-MMC或MMC微型)、SD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储系统，包括：半导体存储器件，包括内容可寻址存储cam块和正常存储块；以及控制器，适于根据在所述cam块中所储存的选项参数来设置初始设置读取电压，以及控制所述半导体存储器件根据所述初始设置读取电压对所述正常存储块执行第一读取操作。

【技术特征摘要】
2016.03.29 KR 10-2016-00375261.一种存储系统，包括：半导体存储器件，包括内容可寻址存储cam块和正常存储块；以及控制器，适于根据在所述cam块中所储存的选项参数来设置初始设置读取电压，以及控制所述半导体存储器件根据所述初始设置读取电压对所述正常存储块执行第一读取操作。2.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述选项参数包括所述半导体存储器件的温度信息、上次执行的读取操作的时间信息以及读取计数信息。3.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述控制器通过选择多个初始设置读取电压索引中的一个来设置所述初始设置读取电压；以及其中，所述初始设置读取电压被设置，使得在由所述第一读取操作而读取的数据中所包括的错误比特的数目小于可允许错误比特的最大数目。4.根据权利要求1所述的存储系统，其中，当在由所述第一读取操作而读取的数据中所包括的错误比特的数目大于可允许错误比特的最大数目时，所述控制器根据读取重试方案控制所述半导体存储器件执行第二读取操作。5.根据权利要求4所述的存储系统，其中，根据如下读取电压对所述正常存储块执行所述第二读取操作：在利用读取电压的逐渐变化对所述正常存储块重复读取操作时，利用所述读取电压检测到最小数目的错误比特。6.根据权利要求4所述的存储系统，其中，所述半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括所述cam块和所述正常存储块；外围电路，适于对所述正常存储块执行读取操作；以及控制逻辑，适于控制所述外围电路读取在所述cam块中储存的选项参数，以及将所述选项参数输出给所述控制器。7.根据权利要求6所述的存储系统，其中，所述控制逻辑根据所述初始设置读取电压来控制所述外围电路对所述正常存储块执行所述第一读取操作。8.根据权利要求4所述的存储系统，其中，所述控制器包括：随机存取存储器RAM，适于储存固件；错误校正块，适于检测从所述半导体存储器件读取的数据的错误比特以及对检测到的错误比特进行校正；以及处理单元，适于：当由所述第一读取操作而读取的数据中所包括的错误比特的数目大于可允许错误比特的最大数目时，根据读取重试表来控制所述半导体存储器件利用读取电压的逐渐变化来对所述正常存储块重复读取操作，以及根据所述错误校正块的错误检测结果来控制半导体存储器件控制所述第二读取操作的读取电压。9.根据权利要求8所述的存储系统，其中，所述固件包括多个初始设置读取电压索引。10.根据权利要求9所述的存储系统，其中，所述处理单元根据所述选项参数来选择在所述多个初始设置读取电压索引中的一个，以及根据选中的初始设置读取电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳俊，朴成曹，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR