The utility model provides a grinding head, a diaphragm, a support pad, a plurality of electromagnet and a controller, wherein the diaphragm is fixed on the supporting pad surface, the electromagnet is fixed on the support of another surface of the pad, the controller and the electromagnet signal connection. The electromagnet is fixed on the supporting pad, to control the pressure of the electromagnet the support pad through the controller to control the electromagnet attraction degree, thereby indirectly control diaphragm in different regions of the wafer under pressure, and then adjust the wafer grinding rate of different regions, the research of crystal morphology controllable circular grinding.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种研磨头以及研磨装置。
技术介绍
半导体制造工艺中,在填充铜层等薄膜之后,通常需要使用研磨装置对其进行化学机械研磨(CMP)处理,研磨去除一部分薄膜,或者将薄膜的表面进行平坦化。所述研磨装置包括一研磨头,所述研磨头设由一隔膜,在进行化学机械研磨工艺时,将待研磨的晶圆附着在所述隔膜上,所述晶圆的待研磨面向下并与相对旋转的研磨垫紧贴,所述隔膜提供的下压力将所述晶圆紧压到研磨垫的表面上,所述研磨垫粘贴于一研磨平台上,当所述研磨平台在一马达的带动下进行旋转时,所述研磨头也随之进行相应运动;同时,研磨液通过一研磨液供应单元涂覆在所述研磨垫上,所述研磨液由离心力均匀地分布在所述研磨垫上。因此,所述隔膜对所述晶圆提供的下压力是影响研磨速率(RemoveRate)的一个重要参数。所述隔膜不同区域对所述晶圆提供的下压力若不相同,则不同区域的所述晶圆的研磨速率也不尽相同,这样便容易造成研磨后的晶圆形貌不符合工艺要求,严重的更会导致晶圆的良率降低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种研磨头以及研磨装置,能够调节对晶圆的下压力,从而调节研磨速率,使研磨后的晶圆形貌可控。为了实现上述目的,本技术提出了一种研磨头,包括隔膜、支撑垫、多个电磁铁以及控制器,其中,所述隔膜固定在所述支撑垫一表面,所述电磁铁固定在所述支撑垫的另一表面,所述控制器与所述电磁铁信号连接。进一步的, ...
【技术保护点】
一种研磨头,其特征在于,所述研磨头包括隔膜、支撑垫、多个电磁铁以及控制器,其中,所述隔膜固定在所述支撑垫一表面,所述电磁铁固定在所述支撑垫的另一表面,所述控制器与所述电磁铁信号连接。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种研磨头,其特征在于,所述研磨头包括隔膜、支撑垫、多个电磁铁
以及控制器,其中,所述隔膜固定在所述支撑垫一表面,所述电磁铁固定在所
述支撑垫的另一表面,所述控制器与所述电磁铁信号连接。
2.如权利要求1所述的研磨头,其特征在于,所述电磁铁包括铁芯、线圈
及衔铁,所述线圈围绕在所述铁芯的表面,所述衔铁与所述铁芯保持一定距离,
所述衔铁还连接一弹簧。
3.如权利要求2所述的研磨头,其特征在于,所述电磁铁的个数为四个,
均匀分布在所述支撑垫的边缘位置。
4.如权利要求2所述的研磨头,其特征在于,所述控制器通过一控制信号
技术研发人员:唐强,徐依协,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。