The invention relates to a low dielectric material, comprising: (I) 5 50 parts by weight of a polyphenylene ether, the number average molecular weight (Mn) =1000 4000, average molecular weight (Mw) =1000 and Mw/Mn=1.0 7000, 1.8; and (II) 10 90 weight portions with allyl the liquid crystal polymer, Mn=1000 4000, Mw=1000 5000, Mw/Mn=1.0 1.8, wherein the low dielectric material Dk value: 3.4 4, Df: 0.0025 0.0050. The low dielectric material can be applied to the semi cured film or circuit board insulating layer, and has high Tg and low expansion coefficient, low water absorption and excellent dielectric properties such as dielectric constant (Dk) and dielectric loss (Df) characteristics.
【技术实现步骤摘要】
低介电材料
本专利技术有关一种低介电材料,特别关于树脂组成物。
技术介绍
随着无线传输产品的蓬勃发展及高频传输技术的跃进,现有环氧树脂及酚醛树脂系统的材料已无法满足进阶的应用,特别是高频印刷电路板的需求。作为低介电损耗的印刷电路板的基板材料有氟类树脂,但是此种树脂成本高、加工不易,应用局限于军事与航天用途。另外,聚苯醚(PPE)树脂因具有良好的机械特性与优异介电性能,例如介电常数(Dk)及介电损耗(Df),成为高频印刷电路板的基板首选的树脂材料。然而,聚苯醚是一种热塑性树脂,将其直接用于铜箔基板中存在以下缺点:熔融黏度高,难于加工成型;耐溶剂性差,在印刷电路板制作过程溶剂清洗的环境中易造成导线附着不牢或脱落;及熔点与玻璃转化温度(Tg)相近,难以承受印刷电路板工艺中250℃以上焊锡操作。因此,PPE经过热固性改质才能符合印刷电路板的使用要求。PPE的热固性改质一般有以下两种方式:在PPE分子结构上引入可交联的活性基团,使之成为热固性树脂。或者,借由共混改质或互穿网状(IPN)技术,引入其他热固性树脂,形成共混的热固性复合材料。但是由于化学结构极性上的差异,PPE与 ...
【技术保护点】
一种低介电材料,其特征在于,其包含:(i)5‑50重量份的聚苯醚树脂,数目平均分子量(Mn)=1000‑4000,重量平均分子量(Mw)=1000‑7000,及Mw/Mn=1.0‑1.8,其中聚苯醚树脂的结构式如下:
【技术特征摘要】
1.一种低介电材料,其特征在于,其包含:(i)5-50重量份的聚苯醚树脂,数目平均分子量(Mn)=1000-4000,重量平均分子量(Mw)=1000-7000,及Mw/Mn=1.0-1.8,其中聚苯醚树脂的结构式如下:Y是至少一个碳、至少一个氧、至少一个苯环或以上组合;及(ii)10-90重量份的具有烯丙基的液晶高分子,Mn=1000-4000,Mw=1000-5000,Mw/Mn=1.0-1.8,其中该低介电材料Dk值:3.4-4.0,Df值:0.0025-0.0050。2.如权利要求1所述的低介电材料,其特征在于,更包含0.01-15重量份的双马来酰亚胺树脂。3.如权利要求1所述的低介电材料,其特征在于,更包含0.01-10重量份的高分子添加剂。4.如权利要求1所述的低介电材料,其特征在于,该双马来酰亚胺选自下列群组的至少其中之一:苯基甲烷马来酰亚胺(Phenylmethanemaleimide)其中n≧1;双酚A二苯醚双马来酰亚胺3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯乙烷双马来酰亚胺1,6-双马来酰亚胺-(2,2,4-三甲基)己烷5.如权利要求1所述的低介电材料,其特征在于,该高分子添加剂选自下列群组的至少其中之一:丁二烯均聚物其中y=70%,x+z=30%;丁二烯与苯乙烯无规共聚物其中y=30%,x+z=70%,w=≧1,苯乙烯含量=25wt%;马来酸酐化聚丁二烯其中y=28%,x+z=72%,马来酸酐含量=8wt%;丁二烯、苯乙烯与二乙烯苯的共聚物;及苯乙烯-马来酸酐共聚合物其中X=1~8,n≧1。6.如权利要求1所述的低介电材料,其特征在于,更包含40~80重量份的选自下列群组中的至少一种交联剂:TAICTAC4-叔丁基苯乙烯(TBS)及三甲代烯丙基异氰酸酯(TMAIC)7.如权利要求1所述的低介电材料,其特征在于,更包含2~8phr的10小时半衰期温度范围116℃~128℃的过氧化物,其中2~8phr是以PPE、LCP、...
【专利技术属性】
技术研发人员:鄞盟松,陈礼君,
申请(专利权)人:联茂电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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