半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。

Semiconductor device and method of manufacturing the same

A semiconductor device that reduces parasitic capacitance is provided. A semiconductor device includes: a first insulating layer; a first insulating layer on the first oxide semiconductor layer; a first oxide semiconductor layer on the oxide semiconductor layer; the second oxide layer on the semiconductor source and drain electrode layers; a first insulating layer, a source electrode layer and a drain electrode layer on the second insulating layer; a second insulating layer on the third insulating layer; third oxide semiconductor layer, a second oxide semiconductor layer; third gate oxide semiconductor layer on the insulating layer; and a gate insulating layer on the gate electrode layer. The second insulating layer for oxygen barrier layer and is provided with a first oxide semiconductor layer, a second oxide semiconductor layer, source and drain electrode layers of the side contact area. With a second oxide semiconductor layer, a source electrode layer and a drain electrode layer, a second insulating layer and three insulating side contact layer region of the oxide semiconductor layer third.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术涉及一种工序、机器、产品或者组合物(compositionofmatter)。尤其是，本专利技术例如涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或制造方法。尤其是，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置或其制造方法。注意，本说明书等中的半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外，存储装置、显示装置、电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体膜来构成晶体管的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于集成电路(IC)、图像显示装置(显示装置)等电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被周知。另外，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。例如，专利文献1公开了一种晶体管，该晶体管的活性层包括包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物半导体。
技术介绍
[专利文献1]日本专利申请公开第2006-165528号公报在使半导体元件微型化时，晶体管附近的寄生电容是大问题。当晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；所述第一绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述第二绝缘层为氧阻挡层并具有与所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面及所述漏电极层的侧面接触的区域，并且，所述第三氧化物半导体层具有与所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面、...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.06 JP 2015-0225881.一种半导体装置，包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；所述第一绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述第二绝缘层为氧阻挡层并具有与所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面及所述漏电极层的侧面接触的区域，并且，所述第三氧化物半导体层具有与所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面、所述漏电极层的侧面、所述第二绝缘层的侧面及所述第三绝缘层的侧面接触的区域。2.一种半导体装置，包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；具有与所述第二氧化物半导体层的侧面接触的区域的第一导电层及第二导电层；所述第一绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述第二绝缘层为氧阻挡层，所述第一电极层的侧面及所述第二电极层在侧面上具有与所述第二绝缘层接触的区域，并且，所述第三氧化物半导体层具有在所述第一绝缘层的侧面、所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面、所述漏电极层的侧面、所述第二绝缘层的侧面及所述第三绝缘层的侧面接触的区域。3.一种半导体装置，包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；所述第一绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述源电极层及所述漏电极层上的具有与所述第二绝缘层的侧面及所述第三绝缘层的侧面接触的区域的第四绝缘层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极层，其中，所述第二绝缘层为氧阻挡层并具有与所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面及所述漏电极层的侧面接触的区域，并且，所述第三氧化物半导体层具有在所述第一绝缘层的侧面、所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半导体层的侧面、所述源电极层的侧面、所述漏电极层的侧面及所述第四绝缘层的侧面接触的区域。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中第二绝缘层使用氧化铝层。5.一种半导体装置，包括：第一导电层；所述第一导电层上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；所述第一绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的栅电极层；以及所述第三绝缘层、所述第三氧化物半导体层、所述栅极绝缘层及所述栅电极层上的第四绝缘层，其中，所述第二绝缘层为氧阻挡层并与所述第一氧化物半导体层的侧面、所述第二氧化物半...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅见良信，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP