半导体加工用粘合片制造技术

本发明专利技术提供一种半导体加工用粘合片，其在基材上依次具有中间层和粘合剂层，且满足(a)在频率1Hz下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为1.0以上、以及(b)在频率1Hz下测定的50℃时的该粘合剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为1.8以下。

Adhesive sheet for semiconductor processing

The present invention provides an adhesive sheet for semiconductor processing, the substrate includes the intermediate layer and the adhesive layer, and satisfies (a) loss of the middle layer was measured in the frequency of 1Hz under 50 DEG C when the tangent is above 1, and (b) the adhesive layer was measured in the frequency under 1Hz 50 C the storage modulus of A and the middle layer of the storage modulus of I ratio is below 1.8 [A/I].

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用粘合片
本专利技术涉及半导体加工用粘合片，特别是，涉及适于保护带凸起的半导体晶片表面的用途的半导体加工用粘合片。
技术介绍
在信息终端设备的薄型化、小型化、多功能化的迅速发展过程中，对于搭载于这些设备中的半导体装置，也同样要求薄型化、高密度化。为了实现装置的薄型化，要求集成有半导体的半导体晶片的薄型化。为了满足该要求，已进行了对半导体晶片的背面进行研削来谋求薄型化。近年来，有时会在半导体晶片表面形成高度30μm～100μm左右的由焊料等形成的凸起(电极)。在对这样的带凸起的半导体晶片进行背面研削的情况下，为了保护具有凸起部分的表面，要粘贴背磨片(以下称为“BG片”)。然而，就通常使用的BG片而言，在粘贴后的表面，会在存在凸起的部分和不存在凸起的部分之间产生高低差，难以变得平坦。而由其高低差引起的压力差会直接影响晶片背面，有时会导致在晶片的背面研削时产生凹痕(缺陷、凹陷)、裂纹(开裂)，进而导致研削后得到的半导体晶片发生破损。针对这样的问题，例如在专利文献1中公开了包含以使25℃及60℃下的储能模量达到特定范围的方式制备的树脂层(A)的半导体晶片表面保护用片。该半导体晶片表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体加工用粘合片，其在基材上依次具有中间层和粘合剂层，且满足下述(a)及(b)，(a)在频率1Hz下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为1.0以上；(b)在频率1Hz下测定的50℃时的该粘合剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为1.8以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.30 JP 2015-0169191.一种半导体加工用粘合片，其在基材上依次具有中间层和粘合剂层，且满足下述(a)及(b)，(a)在频率1Hz下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为1.0以上；(b)在频率1Hz下测定的50℃时的该粘合剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为1.8以下。2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合片，其中，所述在频率1Hz下测定的50℃时的粘合剂层的储能模量A与中间层的储能模量I之比[A/I]为1.0以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，所述中间层由包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯及含硫醇基的化合物的树脂组合物形成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，所述在频率1Hz下测定的50℃时的中间层的储能模量I为1.0×106Pa以下。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤本泰史，坂东沙也香，垣内康彦，小升雄一朗，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP