氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜制造技术

一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。本发明专利技术的课题在于即使在通过DC溅射进行成膜时不向气氛中引入氧气，也有效地得到高透射率且低折射率的非晶膜。

Oxide sintered body, oxide sputtering target, and oxide film

A sintered body, which is characterized in that contains zinc (Zn), gallium (Ga), silicon (Si) and oxygen (O), Zn content by ZnO conversion is 5 ~ 60 mol%, the content of Ga in the Ga2O3 conversion is 8.5 ~ 90 mol%, the content of Si in SiO2 was 0 ~ 45 mol conversion%, according to the content of Zn in the ZnO conversion to A (mol%), according to the content of Ga Ga2O3 conversion to B (mol%), according to the content of Si SiO2 conversion to C (mol%), A (B+2C) to meet the conditions, and the relative density is above 90%. The subject of the invention is to efficiently obtain an amorphous film with high transmissivity and low refractive index even if oxygen is not introduced into the atmosphere even when the film is formed by sputtering with DC.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜
本专利技术涉及氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜，尤其是涉及能够进行DC溅射的氧化物溅射靶和使用该溅射靶制作的低折射率且高透射率的光学调节用氧化物薄膜。
技术介绍
在有机EL、液晶显示器或触控面板等各种光学器件中，在利用可见光的情况下，需要所使用的材料为透明的，尤其是期望在可见光区域的整个区域中具有高透射率。另外，在各种光学器件中，有时产生因与构成的膜材料、基板的界面处的折射率差而导致的光损耗。存在为了这样的高透射率、降低光损耗、防反射而引入光学调节层(膜)的方法。作为光学调节层，根据器件结构与其用途，以单层或层叠的方式使用高折射率、中折射率、低折射率的膜(专利文献1～3等)。作为这样的光学调节层的成膜方法，存在各种方法，然而作为大面积上的均匀成膜方法，使用溅射法的成膜是特别优良的。顺便说一下，通过溅射形成低折射率的膜时，由于低折射材料(例如SiO2、MgO、Al2O3等)大多为绝缘性，因此存在无法进行DC溅射、成膜速度慢的问题。为了应对这样的问题，存在使用金属靶在氧气气氛中通过反应性溅射而提高成膜速度的方法。然而，在器件结构中使用金属膜、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.27 JP 2015-0385721.一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。2.如权利要求1所述的烧结体，其特征在于，Zn和Ga的原子比满足Ga/(Ga+Zn)＞0.21的条件。3.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，在X射线衍射中，具有归属于ZnGa2O4的衍射峰。4.如权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其特征在于，以施加恒定电流方式测定的体积电阻率为50kΩ·cm以上。5.如权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其特征在于，相对密度为95％以上。6.如权利要求1～5中任一项所述的烧结体，其特征在于，L*值为65以上。7.一种溅射靶，其包含权利要求1～6中任一项所述的烧结体。8.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：奈良淳史，关秀人，
申请(专利权)人：捷客斯金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP