GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途制造技术
GeSe two-dimensional layered semiconductor and saturable absorber device and use
The invention discloses a GeSe two-dimensional layered semiconductor and a saturable absorber device and an application thereof. The invention comprises a two-dimensional layered semiconductor encapsulated in a transparent container as a saturable absorber and a substrate for carrying the saturable absorber. The saturable absorber is a GeSe two-dimensional layered semiconductor. The present invention found excellent saturable absorption material is new, provides a new idea for the development of new saturable absorber, the device has the advantages of simple preparation, suitable for mass production, small size, can be composed of various types of locking devices, can be applied to pulse fiber laser fields.
【技术实现步骤摘要】
GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途
本专利技术涉及非线性光学材料和器件，特别是涉及了一种GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途，可用于光纤激光器的锁模、调Q、激光光束整形等。
技术介绍
激光器从运行上分为连续激光器和脉冲激光器。脉冲激光器是指单个激光脉冲宽度小于0.25秒、每间隔一定时间才工作一次的激光器，它具有较大输出功率，适合于激光打标、切割、测距等。常见的脉冲激光器有固体激光器中的钇铝石榴石(YAG)激光器、红宝石激光器、钕玻璃激光器等，还有氮分子激光器、准分子激光器等。调Q和锁模是得到脉冲激光的两种最常用的技术。随着调Q和锁模技术以及激光增益介质的不断发展，已可从许多不同波长的激光系统中获得脉冲输出。产生脉冲主要有主动和被动两种方式，主动调制需要在激光腔中外加调制器(声光/电光调制器)实现，既增加了系统成本，也降低了系统便携性；而被动调制无需任何外部器件，因而逐渐成为目前的主流选择和发展方向。目前大部分商用化脉冲激光器都是采用被动方式实现，其关键是在腔内加入饱和吸收体，起到幅度自调制的作用，即当输入光强度越大，饱和吸收体的吸收越...
【技术保护点】
一种GeSe二维层状半导体，其特征是：所述的GeSe二维层状半导体由多层的二维GeSe分子层构成。
【技术特征摘要】
1.一种GeSe二维层状半导体，其特征是：所述的GeSe二维层状半导体由多层的二维GeSe分子层构成。2.根据权利要求1所述的一种GeSe二维层状半导体，其特征是：所述的GeSe二维层状半导体采用以下方式进行制备：1)将GeSe块体加入有机溶液中，超声破碎1h，得到GeSe分散液；2)将GeSe分散液进行离心处理，得到GeSe二维层状半导体。3.根据权利要求2所述的一种GeSe二维层状半导体，其特征是：所述的有机溶液采用乙醇、异丙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、十二烷基磺酸钠和胆酸钠溶液。4.权利要求1-3任一所述的一种GeSe二维层状半导体的用途，其特征是：所述GeSe二维层状半导体用于制备饱和吸收体器件的用途。5.一种基于GeSe二维层状半导体的饱和吸收体器件，其特征在于：包括封装在透明基体内作为饱和吸收体的二维半导体和承载该饱和吸收体的基体，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶羽婷，刘小峰，邱建荣，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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