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本发明公开了一种GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维层状半导体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是GeSe二维层状半导体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料，为开发新型饱和吸...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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