存储模块及其存储系统和操作方法技术方案

一种存储系统可以包括存储模块和存储控制器。该存储模块包含在其中安装的多个存储芯片，每一个存储芯片包含多个存储体，所述多个存储芯片可基于相同命令和地址同时存取。所述存储控制器适用于在基于所述多个存储芯片的修复信息重新排列所述多个存储芯片的每一者的存储体的顺序时将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射。

Storage module and storage system and operation method thereof

A storage system may include a storage module and a storage controller. The storage module is contained in a plurality of memory chips installed, each memory chip includes a plurality of banks, the plurality of memory chips can also access based on the same command and address. The memory controller is applied in the repair information based on the plurality of memory chips to rearrange the plurality of memory chips each memory when the order of the plurality of memory chip memory mapping at each other.

【技术实现步骤摘要】
存储模块及其存储系统和操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月17日提交的申请号为10-2016-0032358的韩国专利申请的优先权，其公开的内容通过引用整体合并于此。
本公开涉及半导体设计技术，更具体地，涉及一种能执行修复操作的双列直插式存储模块(DIMM)。
技术介绍
半导体存储器件以所适用的系统所要求的形式制造，以便实现半导体存储器件的大容量和高性能。例如，对于像个人电脑(PC)的系统，多个存储器件集成在一个印刷电路板(PCB)上且以模块的形式提供。模块在系统中通过插槽安装。在半导体存储器件的模块中，最常见的模块之一是双列直插式存储模块(DIMM)。DIMM可以包括安装在其中的多个动态随机存储器(DRAM)芯片和寄存器。当形成DRAM芯片的大量微单元中的任何一个发生缺损时，DRAM芯片不能恰当地实现其功能。在这种情况下，可以采用冗余法，冗余法是指采用安装在DRAM芯片中的冗余存储单元替换缺损单元，从而增加成品率。根据冗余法，当存储单元被检测为缺损单元时，可以用按行/列制备好的冗余单元替换缺损单元。因此，可以不用废弃DRAM芯片而是继续使用。然而，在DIMM包括多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储系统，包括：存储模块，所述存储模块包括安装在其中的多个存储芯片，每个存储芯片包括多个存储体，所述多个存储芯片能够基于相同的命令和地址同时存取；以及存储控制器，所述存储控制器适用于当基于所述多个存储芯片的修复信息重新排列所述多个存储芯片中的每一者的存储体的顺序时，将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射。

【技术特征摘要】
2016.03.17 KR 10-2016-00323581.一种存储系统，包括：存储模块，所述存储模块包括安装在其中的多个存储芯片，每个存储芯片包括多个存储体，所述多个存储芯片能够基于相同的命令和地址同时存取；以及存储控制器，所述存储控制器适用于当基于所述多个存储芯片的修复信息重新排列所述多个存储芯片中的每一者的存储体的顺序时，将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射。2.如权利要求1所述的存储系统，其中，当将所述多个存储芯片的存储体朝彼此映射时，所述存储控制器映射所含缺损单元具有相同行地址或列地址的存储体。3.如权利要求1所述的存储系统，其中所述存储控制器包括：修复信息管理单元，所述修复信息管理单元适用于接收和存储所述多个存储芯片的修复信息并在初始化阶段基于所存储的修复信息产生用于映射所含缺损单元具有相同行地址或列地址的存储体的映射信号。4.如权利要求3所述的存储系统，其中，所述修复信息管理单元包括用于接收和存储所述多个存储芯片的修复信息的电熔丝阵列或非易失性存储器件。5.如权利要求3所述的存储系统，其中，在基于动态随机存取存储器DRAM的寻址PDA模式期间，所述存储控制器将所述映射信号以地址或命令的形式传输到所述多个存储芯片。6.如权利要求3所述的存储系统，其中，所述多个存储芯片中的每一个包括：存储阵列区域，所述存储阵列区域具有在其中设置的多个存储体，所述多个存储体中的每个存储体包括正常单元以及用于替换所述正常单元中的修复目标单元的冗余单元；修复存储单元，所述修复存储单元适用于存储所述多个修复目标单元的修复地址，并将这些修复地址作为修复信息输出；修复控制单元，所述修复控制单元适用于比较所述修复信息和行地址，以及产生用于选择性地启用在所述修复目标单元和所述冗余单元之间的冗余路径的修复控制信号；存储体控制单元，所述存储体控制单元适用于通过解码存储体地址产生多个存储体选择信号，基于所述多个存储体选择信号产生多个存储体启用信号，以及响应于所述映射信号重新排列所述多个存储体选择信号的顺序；行电路，所述行电路适用于基于所述多个存储体选择信号和所述修复控制信号来启用与所述行地址相对应的字线；以及列电路，所述列电路适用于在读取操作或写入操作期间存取通过所述多个存储体启用信号和列地址选择的位线的数据。7.如权利要求6所述的存储系统，其中所述存储体控制单元包括：选择信号产生单元，所述选择信号产生单元适用于通过解码所述存储体地址产生与各个存储体相对应的基于存储体的选择信号；重新排列单元，所述重新排列单元适用于通过响应于所述映射信号重新排列所述基于存储体的选择信号的顺序来产生所述多个存储体选择信号；以及启用信号产生单元，所述启用信号产生单元适用于响应于激活信号和预充电信号产生所述多个存储体启用信号，所述多个存储体启用信号用于启用与所述多个存储体选择信号相对应的各个存储体。8.如权利要求6所述的存储系统，其中所述存储体控制单元包括：重新排列单元，所述重新排列单元适用于通过响应于所述映射信号重新排列所述存储体地址来产生重新排列的存储体地址；选择信号产生单元，所述选择信号产生单元适用于通过解码所述重新排列的存储体地址来产生所述多个存储体选择信号；以及启用信号产生单元，所述启用信号产生单元适用于响应于激活信号和预充电信号来产生所述多个存储体启用信号，所述多个存储体启用信号用于启用与所述多个存储体选择信号相对应的各个存储体。9.一种存储模块，包括：多个存储芯片，所述多个存储芯片适用于基于相同的命令和地址同时被存取，且每个存储芯片包括被映射到其它存储芯片的各个存储体的多个存储体，其中，所述多个存储芯片中的每一个包括：存储阵列区域，所述存储阵列区域具有在其中设置的多个存储体，所述多个存储体中的每个存储体包括正常单元和用于替换在所述正常单元中的修复目标单元的冗余单元；修复存储单元，所述修复存储单元适用于存储所述修复目标单元的修复地址，并将所述修复地址作为修复信息输出；修复控制单元，所述修复控制单元适用于比较所述修复信息和行地址，并产生用于选择性地启用在所述修复目标单元和所述冗余单元之间的多个冗余路径的修复控制信号；存储体控制单元，所述存储体控制单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：许京哲，金龙珠，权正贤，李圣恩，李在缮，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR