一种三态产生电路制造技术

本发明专利技术提供了一种三态产生电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一电阻一端接电源，另一端接第一二极管的正端；第一二极管的负端接第二二极管的正端；第二二极管的负端接输入端口；第二电阻的一端接输入端口，另一端接地；第三电阻一端接电源，另一端接第一NMOS管的漏极和第一反相器的输入；第一NMOS管的栅极接输入端口，源极接地；第一反相器的输出接第一输出端口；第一PMOS管的源极接电源，栅极接输入端口，漏极接第四电阻的一端和第二反相器的输入；第四电阻的另一端接地；第二反相器的输出接第二输出端口。该三态产生电路的输入IO用一个IO就可以表征3个逻辑状态，从而减小了芯片面积、节约了成本。

Three state generation circuit

The invention provides a three state generation circuit, belonging to the technical field of semiconductor integrated circuits. The circuit includes a first resistor is connected with the power supply, the other end is connected with the positive end of the first diode; the positive end of the negative terminal of the first diode connected with second diodes; the negative terminal second diode is connected with the input port; one end of the second resistor is connected with the input port, the other end is grounded; a third resistor is connected with the power source, the other end is connected with the drain the first electrode and the first inverter input NMOS transistor; gate of the first NMOS tube is connected with the input port, source grounded; output of the first inverter connected to the first output port; the first PMOS source is connected with a power supply, a gate electrode is connected with the input port, the leakage end pole is connected with a fourth resistance and second inverter input; the other end is connected with fourth resistance; output second inverters connected with second output ports. The input IO of the three state generation circuit can represent 3 logic states with an IO, thus reducing the chip area and saving the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种三态产生电路
本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及一种三态产生电路。
技术介绍
在很多大型的电路系统，特别是处理器工作的系统中，功能模块非常多，必然导致输入输出的信号增多，对于芯片来说，这必然导致芯片IO口个数增加。IO中由于包括驱动和ESD逻辑，其面积通常较大，对于很多控制类芯片来说，由于IO个数很多，必然导致芯片功耗的增大、芯片封装的成本增加等问题。针对上述问题，传统的解决方法是采用IO口复用技术，这一技术很好地解决芯片面积受限于IO个数的问题，但同时它也增加了内部控制逻辑。
技术实现思路
为解决现有大型电路系统中IO口个数太多的技术问题，本专利技术提供了一种三态产生电路。一种三态产生电路，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、第一NMOS晶体管N1、第一PMOS晶体管P1、第一反相器INV1、第二反相器INV2；第一电阻R1一端接电源VDD，另一端接第一二极管D1的正端；第一二极管D1的负端接第二二极管D2的正端；第二二极管D2的负端接输入端口IN；第二电阻R2的一端接输入端口IN，另一端接地；第三电阻R3一端接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三态产生电路，其特征在于，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、第一NMOS晶体管N1、第一PMOS晶体管P1、第一反相器INV1、第二反相器INV2；第一电阻R1一端接电源VDD，另一端接第一二极管D1的正端；第一二极管D1的负端接第二二极管D2的正端；第二二极管D2的负端接输入端口IN；第二电阻R2的一端接输入端口IN，另一端接地；第三电阻R3一端接电源，另一端接第一NMOS晶体管N1的漏极和第一反相器INV1的输入；第一NMOS晶体管N1的栅极接输入端口IN，源极接地；第一反相器INV1的输出接第一输出端口OUT1；第一PMOS...

【技术特征摘要】
1.一种三态产生电路，其特征在于，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、第一NMOS晶体管N1、第一PMOS晶体管P1、第一反相器INV1、第二反相器INV2；第一电阻R1一端接电源VDD，另一端接第一二极管D1的正端；第一二极管D1的负端接第二二极管D2的正端；第二二极管D2的负端接输入端口IN；第二电阻R2的一端接输入端口IN，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长沙方星腾电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43