选区SiGeSn层及其形成方法技术

本发明专利技术提出一种选区SiGeSn层及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在SiGe层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。

Constituency SiGeSn layer and method of forming the same

The invention provides a constituency SiGeSn layer and a method for forming the same. The method comprises the following steps: providing a substrate with a top layer of SiGe; in the SiGe layer formed on the surface of the mask, and an opening is formed in the mask; injection containing Sn element atoms, molecules, ions or plasma to the SiGe layer, the SiGeSn layer is formed in the open position. The method can form a SiGeSn layer with thinner thickness and better quality, and has the advantages of simple operation and low cost.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体薄膜制造领域，具体涉及一种选区SiGeSn层及其形成方法。
技术介绍
随着微电子技术的发展，器件尺寸的不断缩小，Si材料较低的迁移率已成为制约器件性能的主要因素。为了不断提升器件的性能，必须采用更高迁移率的沟道材料。目前研究的主要技术方案为：采用Ge材料做PMOSFET器件的沟道材料，III-V化合物半导体材料为NMOSFET器件的沟道材料。Ge具有四倍于Si的空穴迁移率，随着研究的不断深入，Ge沟道MOSFET中的技术难点逐一被攻克。与Ge相兼容的Ge1－xSnx合金（GeSn）是一种IV族半导体材料，具有良好的电学特性。首先，应变GeSn材料具有比Ge更高的空穴迁移率，具有应用于PMOSFET器件沟道的前景；其次，当以Ge材料为沟道时，在源漏中填充GeSn合金，可以在Ge沟道中引入单轴压应变，大幅度提升Ge沟道的性能，当沟道长度在纳米尺度时，其性能提升尤为明显；第三，理论计算结果表明，当x>0.11时，应变Ge1－xSnx合金将成为一种直接带隙的半导体，这使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在所述SiGe层表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成开口；向所述SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。

【技术特征摘要】
1.一种选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供顶部具有SiGe层的衬底；
在所述SiGe层表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成开口；
向所述SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置
形成SiGeSn层。
2.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包
括离子注入。
3.如权利要求2所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述离子注入包括
等离子体源离子注入和等离子体浸没离子注入。
4.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包
括磁控溅射。
5.如权利要求4所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控溅
射注入的过程中，在所述衬底上加载负偏压。
6.如权利要求4或5所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，还包括，去除
所述磁控溅射在所述SiGeSn层之上形成的Sn薄膜。
7.如权利要求6所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，利用对SiGeSn和
Sn具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖磊，王敬，赵梅，梁仁荣，许军，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11