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本发明提出一种选区SiGeSn层及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在SiGe层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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