一种发光二极管的外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、非掺杂氮化镓层、应力释放层、P型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层、电流阻挡层和N型氮化镓层，应力释放层包括多个子层，各个子层包括P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层。本发明专利技术通过应力释放层包括交替层叠设置的P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层，P型掺杂的铟镓氮层的生长温度较低，生长质量较差，使晶体不再按照晶向生长，晶体的生长方向变得杂乱无章，应力的延伸方向也相应发生改变，不同方向的应力进行合并和抵消，极大地释放了蓝宝石衬底和氮化镓材料之间晶格失配产生的应力，降低了位错和缺陷密度。

Epitaxial slice of light-emitting diode and preparation method thereof

The invention discloses an epitaxial slice of a light-emitting diode and a preparation method thereof, belonging to the field of semiconductor technology. The epitaxial wafer comprises a substrate, a buffer layer, an undoped GaN layer, stress release layer, P type gallium nitride layer, the electron blocking layer, a multi quantum well layer, a current blocking layer and the N type gallium nitride layer, the stress release layer comprises a plurality of sub layers InGaN layer of each sub layer including P doped gallium aluminum the nitrogen doped layer and P. The InGaN layer stress release layer includes AlGaN layer and P doped P doped alternately stacked the growth temperature of InGaN layer P doped low growth, poor quality, the crystal is no longer in accordance with the crystal growth, crystal growth direction becomes disordered and the extension direction of stress change, different directions of stress are combined and offset, greatly release the stress produced by lattice mismatch between GaN and sapphire substrate materials, reduces the dislocation and defect density.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiodes，简称：LED)是一种可以直接把电转化为光的固态半导体器件。芯片是发光二极管的核心组件，包括外延片和在外延片上制作的电极。现有的外延片包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、超晶格应力释放层、P型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层和N型氮化镓层。其中，超晶格应力释放层包括多个P型掺杂的铝镓氮层和多个P型掺杂的氮化镓层，多个P型掺杂的铝镓氮层和多个P型掺杂的氮化镓层交替层叠设置。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：蓝宝石衬底和氮化镓材料之间存在晶格失配，晶格失配产生的应力沿外延片的层叠方向延伸，多个P型掺杂的铝镓氮层和多个P型掺杂的氮化镓层交替层叠形成的超晶格应力释放层可以起到一定的应力释放作用，但应力释放不充分。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、应力释放层、P型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层、电流阻挡层和N型氮化镓层，其特征在于，所述应力释放层包括依次层叠在所述非掺杂氮化镓层上的多个子层，各个所述子层包括P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、应力释放层、P型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层、电流阻挡层和N型氮化镓层，其特征在于，所述应力释放层包括依次层叠在所述非掺杂氮化镓层上的多个子层，各个所述子层包括P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各个所述子层还包括P型掺杂的铝铟镓氮层，所述P型掺杂的铝铟镓氮层层叠在所述P型掺杂的铝镓氮层和所述P型掺杂的铟镓氮层之间。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述P型掺杂的铝铟镓氮层的厚度为1～10nm。4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述P型掺杂的铝镓氮层的厚度为1～10nm。5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述P型掺杂的铟镓氮层的厚度为1～10n...

【专利技术属性】
技术研发人员：万林，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33