移位寄存器和显示装置以及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及移位寄存器和显示装置以及其驱动方法。移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线，而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内，而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此，由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低，从而使得移位寄存器的功率消耗降低。

Shift register and display device and driving method thereof

The invention relates to a shift register and a display device and a method of driving the same. The power consumption of the shift register or the display device including the shift register is reduced. The clock signal is supplied by multiple wires rather than by a wire to the shift register. Any of the plurality of wirings provides a clock signal only during a part of the operation period of the shift register, rather than in the entire operation period of the shift register. As a result, the capacity load caused by the supply of the clock signal can be reduced, thereby reducing the power consumption of the shift register.

【技术实现步骤摘要】
移位寄存器和显示装置以及其驱动方法本申请是申请号为201080042876.2、申请日为2010年9月21日、名称为“移位寄存器和显示装置以及其驱动方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及移位寄存器以及包含移位寄存器的显示装置。
技术介绍
形成于平板(例如，玻璃基板)之上的薄膜晶体管(TFT)一般使用诸如非晶硅或多晶硅之类的半导体材料来形成，其中薄膜晶体管通常用于液晶显示装置中。虽然使用非晶硅形成的TFT具有低的场效应迁移率，但是这样的TFT能够形成于较大的玻璃基板之上。另一方面，虽然使用多晶硅形成的TFT具有高的场效应迁移率，但是这样的TFT需要诸如激光退火之类的结晶步骤，而且并不总是适合于形成在较大的玻璃基板之上。鉴于上述情况，使用氧化物半导体作为半导体材料形成的TFT已经引起了人们的注意。例如，专利文献1和2各自公开了其中使用氧化锌或基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体作为半导体材料来形成TFT并且TFT被应用于图像显示装置中的开关元件的技术。与使用非晶硅形成的TFT相比，其中沟道形成区被形成于氧化物半导体中的TFT会具有较高的场效应迁移率。此外，氧化物半导体膜能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有第一信号线、第二信号线、第三信号线、第四信号线、第一触发器、第二触发器、第三触发器以及第四触发器，所述第一信号线在第一时段内能够用作供应时钟信号的布线，该时钟信号在低电源电位与高电源电位之间周期性地交替，所述第一信号线在所述第一时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所述第二信号线在第二时段内能够用作供应所述时钟信号的布线，在所述第二时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所述第三信号线在第三时段内能够用作供应作为所述时钟信号的反相信号的反相时钟信号的布线，在所述第三时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所...

【技术特征摘要】
2009.10.09 JP 2009-2348451.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有第一信号线、第二信号线、第三信号线、第四信号线、第一触发器、第二触发器、第三触发器以及第四触发器，所述第一信号线在第一时段内能够用作供应时钟信号的布线，该时钟信号在低电源电位与高电源电位之间周期性地交替，所述第一信号线在所述第一时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所述第二信号线在第二时段内能够用作供应所述时钟信号的布线，在所述第二时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所述第三信号线在第三时段内能够用作供应作为所述时钟信号的反相信号的反相时钟信号的布线，在所述第三时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所述第四信号线在第四时段内能够用作供应所述反相时钟信号的布线，在所述第四时段以外的时段内能够用作供应所述低电源电位的布线，所述第一触发器与所述第一信号线电连接，在所述第一时段内能够输出所述高电源电位，所述第二触发器与所述第二信号线电连接，在所述第二时段内能够输出所述高电源电位，所述第三触发器与所述第一触发器以及所述第三信号线电连接，在所述第三时段内能够输出所述高电源电位，所述第四触发器与所述第二触发器以及所述第四信号线电连接，在所述第四时段内能够输出所述高电源电位，所述第三时段具有与所述第一时段重叠的时段，所述第四时段具有与所述第二时段重叠的时段，所述第一触发器至第四触发器各自具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的栅极端子与所述第一晶体管的第一端子电连接，所述第一晶体管的第二端子与所述第二晶体管的第一端子电连接，所述第二晶体管的第一端子与所述第三晶体管的栅极端子电连接，所述第二晶体管的栅极端子与所述第四晶体管的栅极端子电连接，所述第二晶体管的第二端子与所述第四晶体管的第二端子电连接，所述第三晶体管的第一端子与所述第一信号线、所述第二信号线、所述第三信号线或所述第四信号线中的任意信号线电连接，所述第三晶体管的第二端子与所述第四晶体管的第一端子电连接，对所述第二晶体管的第二端子以及所述第四晶体管的第二端子供应低电源电位，所述第三晶体管的第二端子以及所述第四晶体管的第一端子与输出端子电连接，其中，所述第一晶体管至第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后，从被设置为与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层供应氧而使所述氧化物半导体层变成I型。2.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的栅极端子与所述第一晶体管的第一端子电连接，所述第一晶体管的第二端子与所述第二晶体管的第一端子电连接，所述第二晶体管的第一端子与所述第三晶体管的栅极端子电连接，所述第二晶体管的栅极端子与所述第四晶体管的栅极端子电连接，所述第二晶体管的第二端子与所述第四晶体管的第二端子电连接，所述第三晶体管的第一端子与用作供应时钟信号的布线的信号线电连接，所述第三晶体管的第二端子与所述第四晶体管的第一端子电连接，对所述第二晶体管的第二端子以及所述第四晶体管的第二端子供应低电源电位，所述第三晶体管的第二端子以及所述第四晶体管的第一端子与输出端子电连接，其中，所述第一晶体管至第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后，从被设置为与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层供应氧而使所述氧化物半导体层变成I型。3.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极与所述第二晶体管的源极或漏极电连接，所述第二晶体管的源极或漏极与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与用作供应时钟信号的布线的信号线电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与所述第四晶体管的源极或漏极电连接，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管或所述第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后供应氧。4.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极与所述第二晶体管的源极或漏极电连接，所述第二晶体管的源极或漏极与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与用作供应时钟信号的布线的信号线电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与所述第四晶体管的源极或漏极电连接，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管或所述第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后，从被设置为与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层供应氧而使所述氧化物半导体层变成I型。5.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极与所述第二晶体管的源极或漏极电连接，所述第二晶体管的源极或漏极与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与用作供应时钟信号的布线的信号线电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与所述第四晶体管的源极或漏极电连接，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管或所述第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层、第一栅极电极以及第二栅极电极，所述氧化物半导体层具有夹于所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的区域，在沟道宽度方向上，所述第一栅极电极的宽度比所述氧化物半导体层的宽度大，在所述沟道宽度方向上，所述第二栅极电极的宽度比所述氧化物半导体层的宽度大，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后供应氧。6.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极与所述第二晶体管的源极或漏极电连接，所述第二晶体管的源极或漏极与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与用作供应时钟信号的布线的信号线电连接，所述第三晶体管的源极或漏极与所述第四晶体管的源极或漏极电连接，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管或所述第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层、第一栅极电极以及第二栅极电极，所述氧化物半导体层具有夹于所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的区域，在沟道宽度方向上，所述第一栅极电极的宽度比所述氧化物半导体层的宽度大，在所述沟道宽度方向上，所述第二栅极电极的宽度比所述氧化物半导体层的宽度大，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后，从被设置为与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层供应氧而使所述氧化物半导体层变成I型。7.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极中的一个与所述第一晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏极中的一个与具有供应时钟信号的功能的第一布线电连接，所述第三晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第四晶体管的源极或漏极中的一个电连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第四晶体管的源极或漏极中的另一个电连接，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管或所述第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后供应氧。8.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极中的一个与所述第一晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏极中的一个与具有供应时钟信号的功能的第一布线电连接，所述第三晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第四晶体管的源极或漏极中的一个电连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第四晶体管的源极或漏极中的另一个电连接，所述第一晶体管的栅极与第二布线电连接，该第二布线具有供应具有脉冲的信号的功能，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管或所述第四晶体管具有形成有沟道的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是经由如下步骤形成的：在进行脱水或脱氢处理之后供应氧。9.一种移位寄存器的制造方法，其特征在于，所述移位寄存器具有触发器，所述触发器具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极中的一个与所述第一晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电连接，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的源极或漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP