一种五栅多晶电池片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种五栅多晶电池片，属于太阳能电池技术领域。本五栅多晶电池片，包括基板，所述的基板上设有若干主栅线和若干副栅线，主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通，其特征在于，所述的主栅线上连接有焊带，每两根副栅线之间设有防断栅，主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接，且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度；所述的基板包括本体，本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区，P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜，N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜，所述的本体表面设有导电膜，所述导电膜外侧设有保护膜。本实用新型专利技术具有光电转化率高的优点。

Five grid polycrystal battery sheet

The utility model provides a five grid polycrystal battery sheet, belonging to the technical field of solar cells. The five grid multi crystal cell, which comprises a substrate, wherein the substrate is provided with a plurality of main gate lines and a plurality of side gate line, the main gate line and side gate line perpendicular to each other and connected at the intersection, which is characterized in that the main gate line is connected with a welding belt breaking gate is arranged between each the two side gate line, between the main gate line and side gate line connected by gradient and gradient and the main gate, gate gate line connecting end is larger than the width of the gate and the gate line gradient side connected to one end of the width; the substrate comprises a body, the body comprises a P type silicon chip, N type polysilicon and communicated in between P type and N type polysilicon polysilicon film, P type polysilicon film is provided with a P type polysilicon film, the underside of the N type polysilicon sheet is provided with a N type polysilicon film, a conductive film surface of the body, wherein the outer side of the conductive film is provided with a protective film. The utility model has the advantages of high photoelectric conversion ratio.

【技术实现步骤摘要】
一种五栅多晶电池片
本技术属于太阳能电池
，涉及一种五栅多晶电池片。
技术介绍
随着太阳能电池片的发展，为了提高电池效率，主栅的宽度越来越窄，副栅的线径同样在挑战更细的水平。太阳能电池片副栅的作用是收集电池片表面光伏效应产生的电子，然后汇集起来形成电流，经过副栅流向主栅。焊带是光伏组件焊接过程中的重要原材料，焊带质量的好坏将直接影响到光伏组件电流的收集效率，对光伏组件的功率影响很大。焊带在串联电池片的过程中一定要做到焊接牢固，避免虚焊假焊现象的发生。生产厂家在选择焊带时一定要根据所选用的电池片特性来决定用什么状态的焊带。一般选用的标准是根据电池片的厚度和短路电流的多少来确定焊带的厚度，焊带的宽度要和电池的主删线宽度一致，焊带的软硬程度一般取决于电池片的厚度和焊接工具。目前，许多电池片正面主栅线设计宽度为1.4mm，而目前大多数组件厂常规使用的焊带为1.6-2.0mm宽度，由于使用的焊带宽度较宽，相同数量的太阳能电池片使用的焊条要高出很多，增加了成本，另外宽度较宽的焊带也遮挡了过多的电池片的受光面，使得电池片的受光面积变小，降低了光伏效率。在太阳能电池片的制作过程中，若在印刷的过程中因为印刷不良在两条主栅之间的副栅上同时有两处或者以上的断栅，无防断栅设计的电池片在两个断栅的位置电流将不予通过，也就代表了这两个断栅之间的副栅处于失效状态，从而影响电池片的电性能，导致电池片效率偏低。另外，在太阳能电池片的制作过程中，焊接焊带的过程中，焊头温度偏高、作业不规范等引起的过焊，导致主栅与副栅连接处断裂，降低了电池片的光电转化效率。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种五栅多晶电池片，本技术所要解决的技术问题是如何提高电池片的光电转化效率。本技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种五栅多晶电池片，包括基板，所述的基板上设有若干相互平行的主栅线和若干相互平行的副栅线，主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通，其特征在于，所述的主栅线上连接有焊带，每两根副栅线之间设有防断栅，主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接，且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度；所述的基板包括本体，本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区，P型多晶硅片处于N型多晶硅片的上侧，P型多晶硅片两侧设有上电极，P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜，所述的N型多晶硅片两侧设有下电极，N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜，所述的本体表面设有导电膜，所述导电膜外侧设有保护膜。在焊带的作用下，可以提高封装效率；在防断栅的作用下，能够使副栅线上具有两处或两处以上断栅的依然能够收集电子形成电流流向主栅线，从而提高电池片的效率；在渐变栅的作用下，能够增加主栅的焊接拉力，减少过焊造成主栅与副栅连接处的断裂。在导电膜的作用下，可以增加导电效率；在保护膜的作用下，增加了本五栅多晶电池片的使用寿命；在P型多晶硅膜与N型多晶硅膜的作用下，有效保障了P型多晶硅片与N型多晶硅片的稳定，提高了光电转换的效率。在上述的五栅多晶电池片中，所述的主栅线的数量为5根，主栅线的宽度为0.6-0.9mm。在上述的五栅多晶电池片中，所述的副栅线的数量为24-40根，副栅线的宽度为0.02-0.04mm。在上述的五栅多晶电池片中，所述的渐变栅较宽一端的宽度为0.6-0.9mm，较窄一端的宽度为0.02-0.04mm。在上述的五栅多晶电池片中，所述的防断栅的宽度为0.02-0.04mm。在上述的五栅多晶电池片中，所述的焊带的宽度为0.8-1mm。在上述的五栅多晶电池片中，所述的基板的规格为156.75*156.75。在上述的五栅多晶电池片中，所述的主栅线、副栅线、渐变栅和防断栅均通过印刷的方式固定在基板上。与现有技术相比，本技术具有以下优点：1、本技术通过焊带可以提高封装效率；通过防断栅能够提高电池片的效率；通过渐变栅能够增加主栅的焊接拉力。2、本技术通过导电膜可以增加导电效率；通过保护膜增加了本五栅多晶电池片的使用寿命；通过P型多晶硅膜与N型多晶硅膜有效保障了P型多晶硅片与N型多晶硅片的稳定，提高了光电转换的效率。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是本技术中基板的结构示意图。图中，1、基板；11、本体；111、P型多晶硅片；112、N型多晶硅片；113、连通区；12、P型多晶硅膜；13、N型多晶硅膜；14、导电膜；15、保护膜；2、主栅线；3、副栅线；4、焊带；5、防断栅；6、渐变栅。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。如图1所示，一种五栅多晶电池片，包括基板1，基板1的规格为156.75*156.75，基板1上设有5根相互平行的主栅线2和32根相互平行的副栅线3，主栅线2与副栅线3相互垂直且在交点处相连通。所述的主栅线2上连接有焊带4，每两根副栅线3之间设有防断栅5，主栅线2与副栅线3之间通过渐变栅6连接，且渐变栅6与主栅线2连接一端的宽度大于渐变栅6与副栅线3连接一端的宽度。主栅线2、副栅线3、渐变栅6和防断栅5均通过印刷的方式固定在基板1上。在本实施例中，主栅线2的宽度为0.8mm，具体的，主栅线2的宽度可以根据实际情况，在0.6-0.9mm之间变动。在本实施例中，副栅线3的数量在24-40根之间变动，副栅线3的宽度为0.3mm。具体的，可以根据实际情况，副栅线3的宽度在0.02-0.04mm之间变动。在本实施例中，渐变栅6较宽一端的宽度为0.8mm，较窄一端的宽度为0.03mm。具体的，可以根据实际情况，渐变栅6较宽一端的宽度可在0.6-0.9mm变动，较窄一端的宽度可在0.02-0.04mm变动。在本实施例中，防断栅5的宽度为0.03mm。具体的，可以根据实际情况，防断栅5的宽度可在0.02-0.04mm之间变动。在本实施例中，焊带4的宽度为0.9mm。具体的，可以根据实际情况，焊带4的宽度为0.8-1mm。本五栅多晶电池片，在焊带4的作用下，可以提高封装效率；在防断栅5的作用下，能够使副栅线3上具有两处或两处以上断栅的依然能够收集电子形成电流流向主栅线2，从而提高电池片的效率；在渐变栅6的作用下，能够增加主栅的焊接拉力，减少过焊造成主栅与副栅连接处的断裂。如图2所示，基板1包括本体11，本体11包括P型多晶硅片111、N型多晶硅片112和设置在P型多晶硅片111与N型多晶硅片112之间的连通区113，P型多晶硅片111处于N型多晶硅片112的上侧，P型多晶硅片111两侧设有上电极，P型多晶硅片111的上侧设有P型多晶硅膜12，所述的N型多晶硅片112两侧设有下电极，N型多晶硅片112下侧设有N型多晶硅膜13，所述的本体11表面设有导电膜14，所述导电膜14外侧设有保护膜15。本五栅多晶电池片，在导电膜14的作用下，可以增加导电效率；在保护膜15的作用下，增加了本五栅多晶电池片的使用寿命；在P型多晶硅膜12与N型多晶硅膜13的作用下，有效保障了P型多晶硅片111与N型多晶硅片112的稳定，提高了光电转换的效率。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种五栅多晶电池片，包括基板，所述的基板上设有若干相互平行的主栅线和若干相互平行的副栅线，主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通，其特征在于，所述的主栅线上连接有焊带，每两根副栅线之间设有防断栅，主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接，且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度；所述的基板包括本体，本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区，P型多晶硅片处于N型多晶硅片的上侧，P型多晶硅片两侧设有上电极，P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜，所述的N型多晶硅片两侧设有下电极，N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜，所述的本体表面设有导电膜，所述导电膜外侧设有保护膜。

【技术特征摘要】
1.一种五栅多晶电池片，包括基板，所述的基板上设有若干相互平行的主栅线和若干相互平行的副栅线，主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通，其特征在于，所述的主栅线上连接有焊带，每两根副栅线之间设有防断栅，主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接，且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度；所述的基板包括本体，本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区，P型多晶硅片处于N型多晶硅片的上侧，P型多晶硅片两侧设有上电极，P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜，所述的N型多晶硅片两侧设有下电极，N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜，所述的本体表面设有导电膜，所述导电膜外侧设有保护膜。2.根据权利要求1所述的五栅多晶电池片，其特征在于，所述的主栅线的数量为5根，主栅线的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：许浩，
申请(专利权)人：嘉兴奥力弗光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33