The invention relates to a nano modified carbide crystal growth inhibitor and its preparation method, the inhibitory agent (V0.35, Cr0.65) 3 (C, N), the crystal growth inhibitor can improve the inhibitor and hard alloy material mixing nonuniformity, to significantly improve the inhibitory effect on the growth of carbide grains, thus to achieve the high performance nano WC hard alloy.
【技术实现步骤摘要】
一种新型的硬质合金晶粒长大抑制剂及其制备方法
本专利技术属于硬质合金刀具材料及制造
,具体涉及一种纳米改性硬质合金晶粒长大抑制剂及其制备方法。
技术介绍
纳米WC硬质合金具有极高的强度、硬度和韧性,为硬质合金材料的发展提供了新的技术途径。然而,WC粉末的纳米化易产生很大的表面能和晶格畸变能,这些能量在烧结过程中被充分释放,从而导致WC晶粒长大。为了抑制WC晶粒长大,通常采用快速烧结和快速冷却的方法。目前常用的先进烧结技术主要有:放电等离子烧结技术、热压烧结、热等静压烧结等,尽管这些先进的烧结技术能抑制晶粒长大,从而达到提高WC硬质合金硬度和韧性的目的。但这些烧结技术所需设备昂贵且不适用于结构复杂硬质合金产品的大批量制备,除开发新型烧结技术之外,在粉末中添加晶粒长大抑制剂,通过阻碍WC在Co相中的溶解-析出过程来抑制晶粒长大,是减小晶粒尺寸的另一途径,该方法投入成本较低,非常适合工业化应用。常用的硬质合金晶粒长大抑制剂有以下几类:过渡族金属碳化物、稀土元素、非金属元素B和P、金属Cu和Mo等。在现有的报道和专利技术中,晶粒长大抑制剂主要通过球磨的方式添加到硬质 ...
【技术保护点】
一种硬质合金晶粒长大抑制剂,其化学式为(V0.35,Cr0.65,)3(C,N)。
【技术特征摘要】
1.一种硬质合金晶粒长大抑制剂,其化学式为(V0.35,Cr0.65,)3(C,N)。2.如权利要求1所述的抑制剂,所述抑制剂为固溶体粉末。3.一种制备权利要求1或2的抑制剂的方法,包括以下步骤:1)以偏钒酸铵、铬酸铵和纳米炭黑分别为V源、Cr源和C源,通过水溶液喷雾造粒制备得到前驱体产物;2)将前驱体产物放在温度为1000-1200℃,N2压力为0.02-0.04MPa的封闭体系中保温50-70min,碳热还原氮化前驱体产物,合成相组成单一的纳米晶(V0.35,Cr0.65,)3(C,N)固溶体粉末。4.一种制备WC硬质合金的方法,包括以下步骤:1)取WC粉末、Co...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨毓杰,王林志,
申请(专利权)人:重庆强锐科技有限公司,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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