The invention discloses a method for preparing a multi walled carbon nanotube array comprises the steps of: (1), the catalyst and carbon source solution mixing, preparation concentration is 0.03 ~ 0.04g/ml mixed solution; (2), the mixed solution is coated on the surface of the substrate; (3), the mixed solution with resistance in the furnace, argon gas or nitrogen, warming up to 800 to 950 DEG C; (4), pass into the flow of 150 ~ 200sccm of hydrogen, heat for 20 to 40 minutes, the carbon nanotube arrays grown on the substrate surface; (5), stop by hydrogen furnace cooling, taking a sample. The length of the multi walled carbon nanotube obtained by the invention is in the millimeter scale, the orientation is good, the pipe diameter is about 80 nm, and the diameter of the wall carbon nanotube is uniform.
【技术实现步骤摘要】
一种多壁碳纳米管阵列的制备方法
本申请涉及材料
，特别是涉及一种多壁碳纳米管阵列的制备方法。
技术介绍
碳纳米管的发现，引领人们打开了纳米世界的大门，由于其特殊的结构以及优异的力、热、电性能，在材料科学、纳米电子学、生物学等方面有着十分广泛的应用前景，引起了广泛的科学研究。而垂直排列的碳纳米管阵列由于其高度取向、一致的长径比等优势，更有利于某些性能的发挥，在导热、导电、超强纤维、场发射等方面有着十分重要的工程意义。现有工艺制备的碳纳米管阵列，通常存在定向性差的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，以克服现有技术中的不足。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本申请实施例公开一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03～0.04g/ml的混合溶液；(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面；(3)、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800～950℃；(4)、通入流量为150～200sccm的氢气，保温20～40分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底...
【技术保护点】
一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03～0.04g/ml的混合溶液；(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面；(3)、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800～950℃；(4)、通入流量为150～200sccm的氢气，保温20～40分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；(5)、停止通入氢气，炉冷，取出样品。
【技术特征摘要】
1.一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03～0.04g/ml的混合溶液；(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面；(3)、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800～950℃；(4)、通入流量为150～200sccm的氢气，保温20～40分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；(5)、停止通入氢气，炉冷，取出样品。2.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于...
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