一种逆导FS‑IGBT的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明专利技术的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，使其在表面形成P型区与N型区交隔的结构；在所形成的P型区与N型区交割的结构上淀积厚度约1um的二氧化硅层；另取一块N型或P型硅片与形成二氧化硅层表面键合，使两个硅片键合在一起；翻转硅片，减薄硅片至设计厚度，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺；翻转硅片，减薄硅片背面至氧化层，使用湿法刻蚀完全去除背面氧化层，并对裸露出的P型区与N型区交割的结构进行适当较薄清洗，随后淀积背面金属层，形成集电极。

A reverse conducting FS IGBT preparation method

The invention belongs to the field of semiconductor technology, in particular to a reverse conducting FS IGBT preparation method. The method of the invention comprises: in a N type semiconductor wafer by ion implantation N type impurity and forming a field stop layer (FS layer); FS layer formed by photolithography etching, interval injection type N and P type impurity impurity, forming the structure of P type and N type area area the surface of the silicon dioxide layer; deposition thickness of about 1um in the structure of P type and N type area formed on the delivery area; another piece of N type or P type silicon and silica surface to form a bond layer, so that the two wafer bonding together; flip chip, wafer thinning to design thickness in the process, and complete the IGBT front surface after thinning; flip chip, thinning the silicon back to the oxide layer, using wet etching back completely remove the oxide layer, and the structure of the P type and N type delivery area exposed to appropriate thinner cleaning, subsequently depositing a metal layer on the back, Collector formation.

【技术实现步骤摘要】
一种逆导FS-IGBT的制备方法
本专利技术属于半导体
，具体的说是涉及一种逆导FS-IGBT的制备方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种兼具MOS场效应和双极型晶体管复合的新型功率电力器件，它兼具MOSFET器件易于驱动、控制简单、开关速度快的优点，又具有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，在功率开关器件中日益扮演者越来越重要的角色。而该类功率器件在作为开关器件的使用的时候都会反向并联一个续流二极管，因此在IGBT模块化封装中，常常会在IGBT芯片旁边再放置一个续流二极管芯片，以满足使用目的。随着对IGBT工作原理的进一步研究以及工艺水平的不断提高，人们发现可以将反向续流二极管集成在同一个IGBT芯片上，即制备IGBT时同时将反向续流二极管制备在同一硅片上，正向加电压是作为IGBT使用，反向加电压时作为续流二极管使用，将续流二极管和IGBT制备在一起的器件一般称为反向导通绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT),该方法可以节约50％的芯片面积，提高集成度，同时节省封装费用，降低功耗。但是对于中低压FS-IGBT，其芯片厚度较薄，如1700VFS-IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆导FS‑IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块N型半导体硅片(1)上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(2)，厚度6um，注入剂量10

【技术特征摘要】
1.一种逆导FS-IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块N型半导体硅片(1)上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(2)，厚度6um，注入剂量1013～1014个/cm2，退火温度1150～1200℃，退火时间90～300分钟；b.在a步所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，注入剂量为1012～1013个/cm2，退火温度450℃，退火时间30～90分钟使其在表面形成P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构，推结深度约为1-2um；c.在b步所形成的P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构上淀积厚度1um的二氧化硅层(5)；d.另取一块N型或P型硅片(6)，与c步形成二氧化硅层表面键合，使两个硅片键合在一起，键合温度3...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，刘亚伟，夏云，刘承芳，陶宏，刘杰，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51