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本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，使其在表面形成P型...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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