一种大功率电源控制器制造技术

本发明专利技术提出了一种大功率电源控制器，包括分流调节器 SR主功率部分、驱动和滞环控制单元以及保护电路。其中，SR主功率部分采用 MOSFET管分流和二极管串联机制，两个 MOSFET管串联，两个二极管分别并联于两个 MOSFET管的两端，驱动和滞环控制单元采用两套，分别控制串联的上下两个 MOSFET管。太阳阵正线与限流电感加阻容吸收电路的输入端相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端与所述 SR主功率部分相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端通过整流二极管与母线正线相连。无论任何一路 MOSFET发生故障，母线电压波形和分流路电流波形均不会受到影响，本发明专利技术的方案可以实现 SR分流较高的可靠性，并且通过 MOSFET并联降低调节路 MOSFET的温度。

High power supply controller

The invention provides a large power supply controller, including shunt regulator SR main power part, drive and hysteresis control unit and protection circuit. Among them, the SR main power part adopts MOSFET and tube shunt diode series mechanism, two MOSFET tube series, two diodes are respectively connected in parallel to the two MOSFET tube, drive and hysteresis control unit adopts two sets of control series in the next two MOSFET tube. The main line and the current limiting inductance and snubber circuit is connected with the input end of the output, the capacity limit absorption circuit is connected with the main part of SR power flow resistance and inductance, output of the current limiting inductance and snubber circuit end through the rectifier diode and the bus line. No way MOSFET fault, voltage waveform and current waveform of shunt is not affected, the scheme of the invention can achieve high reliability SR shunt, and through MOSFET parallel MOSFET temperature regulation to reduce road.

【技术实现步骤摘要】
一种大功率电源控制器
本专利技术属于电源控制器
，具体涉及一种大功率电源控制器。
技术介绍
随着新一代电源控制器系统功率密度的进一步提高以及三结砷化镓(GaAs)多节太阳能电池的引入，使得S3R调节技术的设计变得更加复杂，而采用“砷化镓(GaAs)三接调节技术”的太阳能阵列(28％)较传统硅阵列(18％)具有更高的效率、重量和体积都相应地减少等优点，但是它的寄生参数明显增加。寄生参数的增加会带来以下问题：1.当MOSFET开通的瞬间，寄生电容CSA放电，由可知，在开通瞬间必然会产生很高的尖峰电流，此时需要设计一个电流吸收装置来减小电流尖峰，更重要一方面是它会使得开关损耗很大，效率降低。2.增加由于寄生电容带来的延迟时间会降低母线直流特性，降低整个控制系统带宽，使得输出阻抗提高，削弱系统动态响应。3.单阵太阳能电池电流达到16A，任何一路不应该允许有短路失效故障，造成单阵1600W功率的丧失，因此采用MOSFET串联的方式避免此问题。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，针对于S3R电源系统在高太阳能电池寄生电容、高单阵电流以及高母线电压应用中所存在的高开关频率、高损耗问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率电源控制器，其特征在于：所述电源控制器包括分流调节器SR主功率部分、驱动和滞环控制单元以及保护电路；其中，SR主功率部分采用MOSFET管分流和二极管串联机制，两个MOSFET管串联，两个二极管分别并联于两个MOSFET管的两端，驱动和滞环控制单元采用两套，分别控制串联的上下两个MOSFET管；太阳阵正线与限流电感加阻容吸收电路的输入端相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端与所述SR主功率部分相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端通过整流二极管与母线正线相连。

【技术特征摘要】
1.一种大功率电源控制器，其特征在于：所述电源控制器包括分流调节器SR主功率部分、驱动和滞环控制单元以及保护电路；其中，SR主功率部分采用MOSFET管分流和二极管串联机制，两个MOSFET管串联，两个二极管分别并联于两个MOSFET管的两端，驱动和滞环控制单元采用两套，分别控制串联的上下两个MOSFET管；太阳阵正线与限流电感加阻容吸收电路的输入端相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端与所述SR主功率部分相连，限流电感加阻容吸收电路的输出端通过整流二极管与母线正线相连。2.根据权利要求1所述的电源控制器，其特征在于：太阳阵正线与电阻R1的一端相连，R1的另一端与电容C1的一端相连，电感L1的一端与太阳阵正线相连，L1的另一端与C1的另一端相连；两个二极管D1的正极均与L1的另一端相连，两个二极管的负极均与母线正线相连；负载的一端与母线正线相连，负载的另一端与母线回线相连，电容阵C并联于负载的两端。3.根据权利要求2所述的电源控制器，其特征在于：MOSFET管为N沟道MOSFET管，MOSFET管P1的漏极与电感L1的另一端相连，P1的源极与MOSFET管P2的漏极相连，P2的源极与电阻Rs的一端相连，Rs的另一端与母线回线相连；P1的栅极与高边驱动电路的输出端相连，P2的栅极与低边驱动电路的输出端相连。4.根据权利要求3所述的电源控制器，其特征在于：太阳阵MEA接口R的输出与高边驱动电路的输入端相连，太阳阵MEA接口N的输出与低边驱动电路的输入端相连；其中，太阳阵MEA接口R为第一比较器，第一比较器的一输入端输...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱洪雨，张博温，刘青，张东来，
申请(专利权)人：深圳市航天新源科技有限公司，深圳航天科技创新研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44