一种直流升压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种直流升压电路，包括直流升压模块和PMOS管；所述直流升压模块的输入端连接电源输入端，输出端连接所述PMOS管的源极，接地端接地；所述PMOS管的漏极连接该直流升压电路的电压输出端，栅极连接电源输入端。该直流升压电路能够实现对升压电路后端电压输出的彻底关断，避免后端元器件的空载消耗以及无法彻底关断对后端元器件造成损害风险的缺陷。

DC boost circuit

The invention discloses a DC boost circuit includes DC boost module and PMOS tube; the DC-DC module is connected with the input terminal of the input power, the output end is connected with the PMOS tube source, grounding grounding; drain connecting the DC boost circuit voltage output terminal of the PMOS tube the gate is connected with the power supply input end. The DC boost circuit can realize the complete shutdown of the back voltage output of the boosting circuit, avoid the no-load consumption of the back-end component and can not completely close the defect of damage risk to the back end component.

【技术实现步骤摘要】
一种直流升压电路
本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种直流升压电路。
技术介绍
在LED背光驱动电路、闪光灯驱动电路和其它电子产品电路中都广泛采用直流升压电路来满足各模块不同的电压需求。现有的直流升压电路在关闭升压芯片使能后，在其电压输出端往往还残留有小电流，该小电流的电压等于未升压前的电源输入端电压，无法实现彻底关断，存在对后端元器件造成损害风险的缺陷。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种直流升压电路。该直流升压电路能够实现对升压电路后端电压输出的彻底关断，避免后端元器件的空载消耗以及无法彻底关断对后端元器件造成损害风险的缺陷。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种直流升压电路，包括直流升压模块和PMOS管；所述直流升压模块的输入端连接电源输入端，输出端连接所述PMOS管的源极，接地端接地；所述PMOS管的漏极连接该直流升压电路的电压输出端，栅极连接电源输入端。进一步地，所述直流升压模块包括升压芯片、升压电感和储能电容；所述升压电感的输入端分别连接电源输入端和所述升压芯片的VIN端，输出端分别连接所述储能电容的输入端、所述升压芯片的SW端和所述PMOS管的源极；所述储能电容的输出端与所述升压芯片的GND端连接后接地。进一步地，还包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的输入端分别连接所述升压电感的输出端、所述储能电容的输入端和所述PMOS管的源极，输出端分别连接所述第二电阻的输入端和所述升压芯片的FB端；所述第二电阻的输出端与所述升压芯片的GND端连接后接地。进一步地，还包括二极管，所述二极管的阳极连接所述升压电感的输出端，阴极分别连接所述储能电容、第一电阻和PMOS管的源极。进一步地，电源输入端和直流升压模块的接地端之间连接有稳压电容。本专利技术具有如下有益效果：该直流升压电路在直流升压模块和电压输出端之间连接有PMOS管，利用所述PMOS管的电学特性来对该直流升压电路的电压输出端进行彻底的关断，避免后端元器件的空载消耗以及无法彻底关断对后端元器件造成损害风险的缺陷。附图说明图1为本专利技术提供的直流升压电路的结构图；图2为本专利技术提供的直流升压电路的原理图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。如图1所示，一种直流升压电路，包括直流升压模块和PMOS管M1；所述直流升压模块的输入端连接电源输入端VBAT，输出端连接所述PMOS管M1的源极S，接地端接地；所述PMOS管M1的漏极D连接该直流升压电路的电压输出端VOUT，栅极G连接电源输入端VBAT。该直流升压电路在直流升压模块和电压输出端VOUT之间连接有PMOS管M1，利用所述PMOS管M1的电学特性来对该直流升压电路的电压输出端VOUT进行彻底的关断，避免后端元器件的空载消耗以及无法彻底关断对后端元器件造成损害风险的缺陷。工作原理：所述PMOS管M1的源极S连接所述直流升压模块的输出端，即源极S输入的是升压电压V1，栅极G连接电源输入端VBAT，即栅极G输入的电压是电源电压V0；当所述直流升压模块向所述PMOS管M1的源极S输出的升压电压V1逐渐升高，导致升压电压V1和电源电压V0之间的电压差大于所述PMOS管M1的阀值时，所述PMOS管M1的源极S和漏极D导通，其漏极D输出升压电压V1至电压输出端VOUT；当所述直流升压模块向所述PMOS管M1的源极S输出的升压电压V1逐渐降低，导致升压电压V1和电源电压V0之间的电压差小于所述PMOS管M1的阀值时，所述PMOS管M1的源极S和漏极D断开，其漏极D输出0V电压值至电压输出端VOUT。如图2所示，所述直流升压模块包括升压芯片U1、升压电感L1和储能电容C1；所述升压电感L1的输入端分别连接电源输入端VBAT和所述升压芯片U1的VIN端，输出端分别连接所述储能电容C1的输入端、所述升压芯片U1的SW端和所述PMOS管M1的源极S；所述储能电容C1的输出端与所述升压芯片U1的GND端连接后接地。该直流升压电路通过控制所述升压芯片U1的使能端EN在高电平和低电平之间的切换，就能够对所述升压芯片U1的升压功能和所述PMOS管M1的通/断电进行控制，不仅能够输出稳定的升压电压V1，而且还能对电压输出端VOUT进行彻底的关断。工作原理如下：1.当所述升压芯片U1的使能端EN为高电平时，所述升压芯片U1中的SW端和GND端在内部导通，所述升压电感L1的输出端接地并形成升压回路，流过所述升压电感L1的电流值开始逐渐增大；2.当所述升压电感L1的电流值达到预定值时，所述升压芯片U1中的SW端和GND端在内部自动断开，所述升压电感L1的输出端无法接地形成升压回路，所述升压电感L1将自身储存的电能传送给所述储能电容C1，所述储能电容C1进行充电，通过对步骤1和2的多次重复在所述储能电容C1两端形成升压电压V1；3.当所述PMOS管M1的源极S上的升压电压V1和栅极G上的电源电压V0之间的电压差大于阀值时，所述PMOS管M1处于饱和状态，其源极S和漏极D导通，电压输出端VOUT输出升压电压V1；4.当所述升压芯片U1的使能端EN为低电平时，所述升压芯片U1停止升压动作，所述储能电容C1在放电的过程中，其两端的升压电压V1逐渐减小，当所述PMOS管M1的源极S上的升压电压V1和栅极G上的电源电压V0之间的电压差小于阀值时，所述PMOS管M1处于截止状态，其源极S和漏极D断开，电压输出端VOUT输出0V电压值。还包括第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1的输入端分别连接所述升压电感L1的输出端、所述储能电容C1的输入端和所述PMOS管M1的源极S，输出端分别连接所述第二电阻R2的输入端和所述升压芯片U1的FB端；所述第二电阻R2的输出端与所述升压芯片U1的GND端连接后接地，用于形成反馈回路。该直流升压电路通过调节所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值比例可以调节所述升压芯片U1的升压反馈引脚FB检测到的电压值，进而改变所述升压芯片U1输出的升压电压V1。还包括二极管D1，所述二极管D1的阳极连接所述升压电感L1的输出端，阴极分别连接所述储能电容C1的输入端、所述第一电阻R1的输入端和所述PMOS管M1的源极S，用于单向导通，起整流作用。电源输入端VBAT和直流升压模块的接地端（即所述升压芯片U1的GND端）之间连接有稳压电容C2，用于稳定电路电压。以上所述实施例仅表达了本专利技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流升压电路，其特征在于：包括直流升压模块和PMOS管；所述直流升压模块的输入端连接电源输入端，输出端连接所述PMOS管的源极，接地端接地；所述PMOS管的漏极连接该直流升压电路的电压输出端，栅极连接电源输入端。

【技术特征摘要】
1.一种直流升压电路，其特征在于：包括直流升压模块和PMOS管；所述直流升压模块的输入端连接电源输入端，输出端连接所述PMOS管的源极，接地端接地；所述PMOS管的漏极连接该直流升压电路的电压输出端，栅极连接电源输入端。2.根据权利要求1所述的直流升压电路，其特征在于：所述直流升压模块包括升压芯片、升压电感和储能电容；所述升压电感的输入端分别连接电源输入端和所述升压芯片的VIN端，输出端分别连接所述储能电容的输入端、所述升压芯片的SW端和所述PMOS管的源极；所述储能电容的输出端与所述升压芯片的GND端连接后接地。3.根据权利要求2所述的直流升...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠余，柏义波，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44