发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件。发光元件可发出一辐射且包含：一基板；一位于基板上的外延结构，外延结构依序包含一第一分布布拉格反射镜(distributed Bragg reflector，DBR)、一发光叠层、一第二分布布拉格反射镜以及一接触层；一电极；一介于接触层以及电极之间的电流阻挡层；一形成于电流阻挡层中的第一开口；以及一形成于电极中以及位于第一开口之中的第二开口，其中发光元件于第二分布布拉格反射镜叠层之中，缺乏一氧化层以及缺乏一离子注入层。

Light emitting element

The invention discloses a light emitting element. The light emitting element emits a radiation and comprises: a substrate; an epitaxial structure on a substrate, epitaxial structure sequentially comprises a first distributed Prague reflector (distributed Bragg reflector, DBR), a luminous layer, a second distributed Prague reflector and a contact layer; a current between the electrodes; the contact between electrode layer and barrier layer; forming a barrier layer in the first opening in the current; and an electrode formed in the first opening and is located in the second opening, wherein the light emitting element in the second distributed Prague reflector stack, the lack of an oxide layer and the lack of an ion implanted layer.

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术涉及一种发光元件，尤其是涉及一种具有激光以及发光二极管特性的发光元件。
技术介绍
发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯，发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此发光二极管已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。图24为一既有的垂直腔面发射激光器(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，VCSEL)的剖视图。垂直腔面发射激光器可以发出同调光，其方向垂直于一活性区域。VCSEL包含一结构，其包含一基板300、一对位于基板300上且夹设一活性区域230的分布布拉格反射镜(distributedBraggreflector，DBR)叠层200、210，其中活性区域230为电子以及空穴相结合以产生光的地方。为了注射一电流于活性区域230用于产生光，设置一第一电极240以及一第二电极250，且光是自位于VCSEL的上表面的孔洞(aperture)逃逸。在其中一DBR叠层210中，垂直腔面发射激光器可能具有一底切260。以图24为例，底切260是通过选择性地移除DBR叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其可发出一辐射，包含︰基板；位于该基板上的外延结构，其依序包含第一分布布拉格反射镜(DBR)叠层、发光叠层、第二分布布拉格反射镜叠层和接触层；电极；位于该接触层以及该电极之间的电流阻挡层；第一开口，形成在该电流阻挡层之中；第二开口，形成在该电极中且位于该第一开口内；其中该电极的一部分填入该第一开口中且接触该接触层，且该发光元件于该第二分布布拉格反射镜叠层中，缺乏一氧化层以及缺乏一离子注入层。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/062,9951.一种发光元件，其可发出一辐射，包含︰基板；位于该基板上的外延结构，其依序包含第一分布布拉格反射镜(DBR)叠层、发光叠层、第二分布布拉格反射镜叠层和接触层；电极；位于该接触层以及该电极之间的电流阻挡层；第一开口，形成在该电流阻挡层之中；第二开口，形成在该电极中且位于该第一开口内；其中该电极的一部分填入该第一开口中且接触该接触层，且该发光元件于该第二分布布拉格反射镜叠层中，缺乏一氧化层以及缺乏一离子注入层。2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二分布布拉格反射镜叠层位于该第一开口正下方的部位的导电率大致上相等于该第二分布布拉格反射镜叠层其他被该电流阻挡层覆盖的部位的导电率。3.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光元件具有一正向电压、激光阈值电流以及一大于该激光阈值电流的饱和电流，且发光元件于一大于该正向电压的操作电压下传导一正向电流，在该正向电流介于该激光阈值电流以及该饱和电流之间时，该辐射为具有一远场角小于15度的同调光。4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二分布布拉格反射镜叠层的每一层大致上由三五族半导体材料所组成。5.一种发光元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐子杰，黄意雯，林羿宏，吕志强，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71