多电极串行半导体光放大器制造技术

本公开提供了一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底；n面电极，形成于衬底的第一表面；n型多层结构，形成于衬底的第二表面，包括：n型下限制层，形成于衬底上；n型波导层，形成于n型下限制层上；有源层，形成于n型多层结构上；p型多层结构，形成于有源层上，包括：p型界面层，形成于有源层上；p型上限制层，形成于p型界面层上；p型欧姆接触层，形成于p型p型上限制层上；p面电极，形成于p型多层结构上，其包括：N个串行电极，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。通过多电极串行电流多点注入，可解决大功率半导体光放大器的散热问题，提高光电转换效率。

Multi electrode serial semiconductor optical amplifier

The invention provides a multi electrode serial semiconductor optical amplifier includes: a substrate; N electrode surface, the first surface is formed on the substrate; N type multilayer structure, including second formed on the substrate surface, n limit layer, formed on the substrate; N type waveguide layer is formed on the N limit layer; an active layer formed on the multilayer structure of N type; P type multilayer structure formed on the active layer, including: P interface layer formed on the active layer; P limit layer, formed on the P interface layer; P type ohmic contact layer is formed on the p p the upper limiting layer; P surface electrode is formed on the P multilayer structure, which comprises a N serial electrode for the carrier from all serial electrodes at the same time injected into the active region, N = 2. Through the multi electrode serial current multi-point injection, the heat radiation of the high-power semiconductor optical amplifier can be solved, and the photoelectric conversion efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
多电极串行半导体光放大器
本公开涉及半导体光放大器
，尤其涉及一种大功率多电极串行半导体光放大器。
技术介绍
放大器是光纤通信系统中能对光信号进行放大的关键器件。随着半导体激光器和传输光纤性能的不断改善，美国于1975年在亚特兰大进行了光纤通信的现场试验；1976年相继开通了纽约-芝加哥、纽约-波士顿的商用光纤通信系统。光纤的低损耗使光信号具有传输距离长、通信容量巨大、成本低和保密性强等优点，这使得光纤通信得到迅速发展。为了解决长距离光纤通信中的损耗问题，每隔数公里必须加一个“光-电-光”中继站，其功能是将经过光纤衰减的信号用光探测器接收变为电信号，然后用电学的方法对电信号进行放大和再生，然后再调制到激光器上转变成光信号继续传输，很明显这种中继方式增加了大量的设备和场地的成本，而且这种中继方式只能针对某一个特定的比特率和工作波长，对信号传输链路造成瓶颈。因此需要寻找新的思路实现高性能光放大。随着光器件技术的发展，用光放大器取代“光-电-光”中继方式，将经光纤传输而衰减的光信号直接用光放大器放大的构想应运而生。通信、激光雷达和成像、高性能微波光子(MWP)连接和模拟信号处理器等方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底(10)；n面电极(60)，形成于衬底(10)的第一表面；n型多层结构(20)，形成于衬底(10)的第二表面，包括：n型下限制层(22)，形成于衬底(10)上；n型波导层(23)，形成于n型下限制层(22)上；有源层(30)，形成于n型多层结构(20)上；p型多层结构(40)，形成于有源层(30)上，包括：p型界面层(41)，形成于有源层(30)上；p型上限制层(42)，形成于p型界面层(41)上；p型欧姆接触层(44)，形成于p型p型上限制层(42)上；p面电极(50)，形成于p型多层结构(40)上，其包括：N个串行电极(53)，用于使载流子从各个串行...

【技术特征摘要】
1.一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底(10)；n面电极(60)，形成于衬底(10)的第一表面；n型多层结构(20)，形成于衬底(10)的第二表面，包括：n型下限制层(22)，形成于衬底(10)上；n型波导层(23)，形成于n型下限制层(22)上；有源层(30)，形成于n型多层结构(20)上；p型多层结构(40)，形成于有源层(30)上，包括：p型界面层(41)，形成于有源层(30)上；p型上限制层(42)，形成于p型界面层(41)上；p型欧姆接触层(44)，形成于p型p型上限制层(42)上；p面电极(50)，形成于p型多层结构(40)上，其包括：N个串行电极(53)，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。2.根据权利要求1所述的多电极串行半导体光放大器，其中，N个串行电极(53)设置在以电极接触台面为中心的两侧，均匀分布，载流子分别通过各个形状相同的串行电极同时注入有源区。3.根据权利要求2所述的多电极串行半导体光放大器，其中，所述p面电极(50)包括条形电极窗口(52)、N个串行电极(53)及二氧化硅材料(51)，N个串行电极(53)连接至条形电极窗口(52)，所述条形电极窗口(52)设置于p型欧姆接触层(44)上，串行电极(53)设置于二氧化硅材料(51)上。4.根据权利要求3所述的多电极串行半导体光放大器，其中，所述p面电极(50)为钛铂金材料，对于所述p面电极(50)采用先图形掩埋版光刻，再带胶剥离的方法制备。5.根据权利要求3所述的多电极串行半导体光放大器，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：于丽娟，邹灿文，刘建国，祝宁华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11