一种发光二极管的外延片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，通过在外延片的n型层上依次层叠设置发光层和NiO空穴传输层，电子和空穴在发光层中复合发光，由于发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，HC(NH2)2PbBr3层替代多量子阱结构作为发光层应用于GaN基LED中，可避免Efficiency droop效应，提高LED器件的发光效率，此外，采用HC(NH2)2PbBr3层发光，相比现有的发光层还具有色域广、色纯度高、功耗低、成本低和易于加工等特点。

Epitaxial slice of light-emitting diode and preparation method thereof

The invention discloses an epitaxial slice of a light-emitting diode and a preparation method thereof, belonging to the field of optoelectronic manufacturing technology. The epitaxial wafer comprises a substrate and sequentially stacked on the substrate u GaN layer, n layer, a light-emitting layer and a NiO hole transport layer, a light-emitting layer including HC (NH2) 2PbBr3 layer, through the N epitaxial wafer layer sequentially disposed with a light-emitting layer and a NiO hole transport layer, electron and hole in the hair the optical layer in composite light, because the light emitting layer includes HC (NH2) 2PbBr3, HC (NH2) light emitting layer is applied to the GaN based LED as 2PbBr3 layer instead of multi quantum well structure, can avoid the Efficiency droop effect, improve the luminous efficiency of LED devices, in addition, the HC (NH2) 2PbBr3 light emitting layer, compared to the existing light emitting layer also has the characteristics of wide color gamut, high color purity, low power consumption, low cost and easy processing etc..

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及制备方法
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。现有的LED主要包括衬底和依次层叠在衬底上的n型层、发光层和p型层。现有的LED的发光层通常是多量子阱结构，例如InGaN基LED的发光层是InGaN/GaN多量子阱。多量子阱结构的LED，随着电流的增大，发光效率会逐渐降低，这种现象被称为Efficiencydroop(效率衰退)。目前对这种现象产生的原因的解释是，量子阱层和量子垒层界面间存在的晶格不匹配会产生极化电场，极化电场导致能带发生弯曲，使电子容易从发光层泄漏到p型层，泄漏到p型层的电子与空穴复合时不会发光，电流增大会加剧电子的泄漏，使得发光效率进一步降低。
技术实现思路
为了解决现有LED在电流增大时发光效率降低的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及制备方法。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，所述发光层包括HC(NH2)2PbBr3层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的u-GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，所述发光层包括HC(NH2)2PbBr3层。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述HC(NH2)2PbBr3层的厚度为10nm～300nm。3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述NiO空穴传输层的厚度为10nm～100nm。4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括GaN缓冲层，所述GaN缓冲层设置在所述衬底和所述u-GaN层之间。5.一种外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次外延生长u-GaN层和n型层；在所述n型层上形成发光层，所述发光层包括HC(NH2)2PbBr3层；在所述发光层上形成NiO空穴传输层。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述n型...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁涛，周飚，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33