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本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，通过在外延片的n型层上依次层叠设置发光层和N...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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