纳米线栅偏光片的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米线栅偏光片的制作方法，包括以下步骤：S1、在衬底上依次叠层制作第一线栅材料层、第二线栅材料层和第三线栅材料层；S2、在第三线栅材料层上制作纳米光阻阵列；S3、采用干刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列遮挡的第三线栅材料层；S4、采用湿刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列遮挡的第二线栅材料层；S5、采用干刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列遮挡的第一线栅材料层；S6、去除纳米光阻阵列，获得纳米线栅偏光片。根据本发明专利技术的制作方法通过在衬底上制作具有“三明治”结构的多层线栅材料膜层，再结合不同膜层材料的不同特性，分段使用干刻蚀法和湿刻蚀法，降低单次刻蚀需达到的厚度，避免了单一的干刻蚀法和单一的湿刻蚀法的弊端，且其制程简单。

Method for manufacturing nano wire grating polarizer

The invention discloses a method for manufacturing a nanowire grid polarizer, which comprises the following steps: S1, on the substrate are layered production of first gate material layer, the second gate material layer and third wire grid material layer; making nano light resistance in the third line array S2, gate material layer, using S3; dry etching etching is not third wire grid material layer nano array photoresist occlusion; S4 by wet etching method, etching is not the second gate material layer of nano array photoresist occlusion; S5 by dry etching method, etching is not the first gate material layer of nano array photoresist occlusion; nano S6, removal light resistance array, obtained nanowire grid polarizer. According to the manufacturing method of the invention by making on the substrate with multilayer grating film sandwich structure, combined with the different characteristics of different coating materials, dry etching and segmented using wet etching method, etching single lower required thickness, avoiding the single dry etching method and the disadvantages of single wet etching the method has the advantages of simple process, and the.

【技术实现步骤摘要】
纳米线栅偏光片的制作方法
本专利技术属于LCD制作
，具体地讲，涉及一种纳米线栅偏光片的制作方法。
技术介绍
LCD(LiquidCrystalDisplay)液晶显示器作为信息交流的平台和载体，承载着大量信息的传递，在科技发展和进步的社会背景下起着越来越重要的作用，并且逐渐成为人们关注的重点，人们对新的显示模式和显示效果也有了越来越多的期望。偏光板作为LCD液晶显示器的重要组成部分，会吸收与偏光轴垂直方向的光，只让偏光轴方向的光通过，从而将自然光转变成直线偏振光，但这样会损失50％以上的光，这极大地降低了LCD液晶显示器的整体透过率。另外，在现有量产偏光片的制作过程中，需要多层保护膜和补偿膜，这不仅会使LCD液晶显示器整体偏厚，而且成本提高，制程难度也会增加，这些都极大地限制了LCD液晶显示器在节能和轻便上的应用。纳米线栅能够透过电场方向垂直于线栅方向的入射光，而将电场方向平行于线栅方向的光反射，基于这样的工作原理，可以通过增加防反射膜等方式将反射光重新利用，所以纳米线栅偏光片透过入射光的能力远远大于传统偏光片，其透过率可达90％以上，且对比度也有10000:1之高，可以大幅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米线栅偏光片的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、在衬底上依次叠层制作第一线栅材料层、第二线栅材料层和第三线栅材料层；S2、采用纳米压印技术在所述第三线栅材料层上制作纳米光阻阵列；S3、采用干刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第三线栅材料层；S4、采用湿刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第二线栅材料层；S5、采用干刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第一线栅材料层；S6、去除所述纳米光阻阵列，获得纳米线栅偏光片。

【技术特征摘要】
1.一种纳米线栅偏光片的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、在衬底上依次叠层制作第一线栅材料层、第二线栅材料层和第三线栅材料层；S2、采用纳米压印技术在所述第三线栅材料层上制作纳米光阻阵列；S3、采用干刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第三线栅材料层；S4、采用湿刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第二线栅材料层；S5、采用干刻蚀法刻蚀未被所述纳米光阻阵列遮挡的第一线栅材料层；S6、去除所述纳米光阻阵列，获得纳米线栅偏光片。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一线栅材料层的厚度为10nm～300nm；所述第二线栅材料层的厚度为10nm～150nm；所述第三线栅材料层的厚度为10nm～300nm。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一线栅材料层、第二线栅材料层和第三线栅材料层的厚度相等。4.根据权利要求1-3任一所述的制作方法，其特征在于，所述第一线栅材料层和所述第三线栅材料层的材料均为金属；所述第二线栅材料层的材料选自SiO2、SiN、ITO中的任意一种。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯俊，陈黎暄，陈孝贤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44