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本发明公开了一种纳米线栅偏光片的制作方法，包括以下步骤：S1、在衬底上依次叠层制作第一线栅材料层、第二线栅材料层和第三线栅材料层；S2、在第三线栅材料层上制作纳米光阻阵列；S3、采用干刻蚀法刻蚀未被纳米光阻阵列遮挡的第三线栅材料层；S4、采...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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