太阳能电池减反射膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池减反射膜的制备方法，包括：在扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜。本发明专利技术的技术方案工艺简单，对晶体硅片的损伤小，有利于提高电池的转换效率和开路电压，也有利于改善镀膜过程中膜层沉积的均匀性。

Method for preparing solar cell antireflection film

The invention discloses a method for preparing a solar cell antireflection film, which comprises the following steps: a SiNx antireflection coating is deposited on the light receiving surface of a diffused crystal silicon wafer by PECVD deposition at once. The technical proposal of the invention is simple, the damage to the crystal silicon wafer is small, the conversion efficiency and the open circuit voltage of the battery are improved, and the uniformity of the film deposition in the coating process is improved.

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池减反射膜的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池生产工艺
，尤其涉及一种太阳能电池减反射膜的制备方法。
技术介绍
太阳能电池大规模生产中，常采用在硅片表面沉积减反射膜的方式增加光的利用率，提升电池转换效率。常见的薄膜主要有氮化硅SiNx，其膜层一般是1-5层。氮化硅SiNx薄膜多采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉积的方式进行制备，具有减反射性能和体钝化效果好的特点，但不同膜层的氮化硅膜之间以及与硅基体结合界面态高则限制了电池转化效率的提升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种对硅片损伤小，工艺简单的太阳能电池减反射膜的制备方法。为解决上述问题，本专利技术提供一种太阳能电池减反射膜的制备方法：包括在扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜。可选的，所述SiNx减反射膜折射率的渐变为线性渐变。可选的，所述SiNx减反射膜折射率的变化范围为[1.8，2.5]。可选的，采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜包括：通入SiH4和NH3的混合气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于，包括：在扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于，包括：在扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜。2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于，所述SiNx减反射膜折射率的渐变为线性渐变。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于，所述SiNx减反射膜折射率的变化范围为[1.8，2.5]。4.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于，采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜包括：通入SiH4和NH3的混合气体；在PECVD过程中保持通入的NH3的流量不变，改变通入的SiH4的流量。5.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于，采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜包括：通入SiH4和NH3的混合气体；在PECVD过程中保持通入的NH3的流量不变，减小每秒中通入的SiH4的流量。6.根据权利要求4所述的太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：李跃恒，孟庆平，杨爱静，宋志成，王涛，申海超，王永冈，李绪存，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61