一种薄膜电感、电源转换电路和芯片制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电感、电源转换电路和芯片
本申请涉及电路领域，并且更具体地，涉及一种薄膜电感、电源转换电路和芯片。
技术介绍
现有技术中，薄膜电感的薄膜磁芯是有多层磁性薄膜层层嵌套而成的。在该多层磁性薄膜中，通常，内层磁性薄膜的磁感应强度达到该内层磁性薄膜的饱和磁感应强度要比外层磁性薄膜达到该外层磁性薄膜的饱和磁感应强度更快一些。在内层磁性薄膜的磁感应强度达到该内层磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，该内层磁性薄膜的相对磁导率将接近于零，从而使得该薄膜电感的电感量急剧下降。在该薄膜电感位于电源转换电路中时，该电源转换电路中的电流将会激增，严重时会烧毁负载。因此，如何降低上述薄膜电感中内层磁性薄膜的磁感应强度易饱和的可能性，已成为亟需解决的问题。
技术实现思路
本申请提供一种薄膜磁芯、薄膜电感和电源转换电路，能够有效地降低内层磁性薄膜的磁感应强度容易饱和的可能性。第一方面，本申请提供了一种薄膜电感，所述薄膜电感包括薄膜磁芯和至少一个导电体，所述薄膜磁芯呈两端开口的筒状结构，所述薄膜磁芯包括多层磁性薄膜，每层磁性薄膜均呈两端开口的筒状结构，所述多层磁性薄膜层层嵌套，每相邻两层磁性薄...
【技术保护点】
一种薄膜电感，其特征在于，所述薄膜电感包括薄膜磁芯和至少一个导电体，所述薄膜磁芯呈两端开口的筒状结构，所述薄膜磁芯包括多层磁性薄膜，每层磁性薄膜均呈两端开口的筒状结构，所述多层磁性薄膜层层嵌套，每相邻两层磁性薄膜之间间隔有绝缘层，所述至少一个导电体位于所述多层磁性薄膜中最内层薄膜磁性的内腔中；每相邻两层磁性薄膜包括内层磁性薄膜和外层磁性薄膜，所述内层磁性薄膜嵌套在所述外层磁性薄膜内，所述内层磁性薄膜的相对磁导率小于或等于所述外层磁性薄膜的相对磁导率，所述多层磁性薄膜至少包括相邻的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜内，且所述第一磁性薄膜的相对磁...
【技术特征摘要】
2017.03.03 CN 20171012403641.一种薄膜电感，其特征在于，所述薄膜电感包括薄膜磁芯和至少一个导电体，所述薄膜磁芯呈两端开口的筒状结构，所述薄膜磁芯包括多层磁性薄膜，每层磁性薄膜均呈两端开口的筒状结构，所述多层磁性薄膜层层嵌套，每相邻两层磁性薄膜之间间隔有绝缘层，所述至少一个导电体位于所述多层磁性薄膜中最内层薄膜磁性的内腔中；每相邻两层磁性薄膜包括内层磁性薄膜和外层磁性薄膜，所述内层磁性薄膜嵌套在所述外层磁性薄膜内，所述内层磁性薄膜的相对磁导率小于或等于所述外层磁性薄膜的相对磁导率，所述多层磁性薄膜至少包括相邻的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜内，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率小于所述第二磁性薄膜的相对磁导率，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率和所述第二磁性薄膜的相对磁导率之间的差值大于或等于第一阈值，其中，在所述第二磁性薄膜的磁感应强度达到所述第二磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述第一磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述第一磁性薄膜的饱和磁感应强度。2.根据权利要求1所述的薄膜电感，其特征在于，每相邻两层磁性薄膜中，所述内层磁性薄膜的相对磁导率和所述外层磁性薄膜的相对磁导率之间的差值均大于或等于所述第一阈值，其中，在所述外层磁性薄膜的磁感应强度达到所述外层磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述内层磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述内层磁性薄膜的饱和磁感应强度。3.根据权利要求1或2所述的薄膜电感，其特征在于，所述第一阈值为50。4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜电感，其特征在于，在所述第一磁性薄膜所采用的材料和所述第二磁性薄膜所采用的材料不相同的情况下，所述第一磁性薄膜的厚度值等于所述第二磁性薄膜的厚度值。5.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜电感，其特征在于，在所述第一磁性薄膜所采用的材料和所述第二磁性薄膜所采用的材料相同的情况下，所述第一磁性薄膜的厚度值大于所述第二磁性薄膜的厚度值，且所述第一磁性薄膜的厚度值与所述第二磁性薄膜的厚度值之间的差值大于或等于0且小于或等于第二阈值，所述第二阈值为所述第二磁性薄膜的厚度值的五倍。6.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜电感，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨仕军，杨和钱，朱勇发，陈为，
申请(专利权)人：华为机器有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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